Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen katkısız ve Ga katkılı CdO bileşiklerinin yapısal, optiksel ve elektriksel özellikleri

Bu çalışmada II-VI grup ikili bileşiklerinden olan CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 275 ±5°C taban sıcaklığında üretilmiştir ve CdO yarıiletken filmlerinin fiziksel özelliklerine Galyum elementi katkısının (%2, %4, %6, %8) etkisi araştırılmıştır. Katkısız ve Ga katkılı CdO filmlerinin spektroskopik elipsometri ölçümlerinden kalınlıkları belirlenmiştir. Üretilen yarıiletken ince filmlerin kalınlıkları, 0.222?0.286 µm arasında değişmektedir. Elde edilen filmlerin X-ışınları kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin yapısının polikristal ve yüzey merkezli kübik yapıda oldukları belirlenmiştir. Katkısız ve Ga katkılı CdO ince filmlerinin x-ışını kırınım deseninden yararlanarak a örgü sabiti değerlerinin 4.68248 ? ile 4.69052? arasında, tanecik büyüklüklerinin 220.2 ? ile 314.9 ? arasında ve dislokasyon yoğunluklarının 1.00845x10?3 (nm)?2 ile 2.06236 x10?3 (nm)?2 arasında oldukları hesaplanmıştır. Katkısız ve Ga katkılı CdO yarıiletken filmlerinin optik özellikleri incelenmiş, direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmış ve ayrıca 2.50?2.66 eV arasında yasak enerji aralığının değiştiği belirlenmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla, sırasıyla iki nokta prob metodu ve dört nokta prob metodu kullanılmıştır. Özdirençleri 0.2800x10?1?0.7437x10?2 ?.cm arasında, iletkenlileri ise 0.3571x101?1.3617x102 (?.cm) ?1 arasında değişmektedir.