Laser boyası kullanılarak oluşrutulmuş schottky yapıların kapasite voltaj spektroskopisi

Bu çalışmada Czochralski tekniği ile büyütülmüş, 380μm kalınlığında, (100) düzleminde kesilmiş ve 20Ω-cm özdirence sahip fosfor katkılı n-tipi Si yarıiletken kristalleri kullanılmıştır. Bu kristaller değişik kimyasal metotlarla temizlenmiştir. Temizlenen yarıiletken kristaller üzerine döndürme ile kaplama tekniği kullanılarak coronene ince filmler oluşturulmuştur. Üzerinde coronene ince filmler oluşturulmuş yarıiletken kristaller yaklaşık 10-6 torr bir vakum ortamına alınmıştır. İnce film kaplı yüzeyler üzerine %99,999 saflıkta metaller buharlaştırılarak doğrultucu kontaklar oluşturulmuştur. Elde edilen Schottky tabanlı metal/organik/yarıiletken yapıların her iki tarafından elektriksel bağlantı alınmak suretiyle karanlık ortamda ve oda sıcaklığında elektriksel karakterizasyon işlemleri yapılmıştır. Karakterizasyon işlemleri olarak kapasite-gerilim (C–V) ölçümleri alınmış, bu ölçümlerden hareketle diyot için engel yüksekliği (Φ_B), difüzyon potansiyeli (V_d), tüketim tabakası genişliği (W_D), Fermi enerji seviyesi (E_F), taşıyıcı yoğunluğu (N_d), Schottky alçalması (∆Φ_B) ve maksimum elektrik alan (E_m) gibi diyot parametreleri tayin edilmiştir.