NiO ince filmlerin DC sıçratma tekniği ile biriktirilmesi ve optoelektronik uygulamaları

Bu çalışmada NiO ince filmler cam ve Si alttaşlar üzerine DC sıçratma tekniği kullanılarak biriktirildi. Farklı kalınlıklarda biriktirilen NiO ince filmler oda sıcaklığından 330°C değerine kadar farklı sıcaklıklarda 30 dakika süreyle tavlandı. Tavlama sonrasında ince filmlerin elektriksel, optik ve yapısal ölçümleri gerçekleştirildi. Ölçümlerin analizi sonrasında NiO HTL olarak kullanılarak FTO/TiO2/Cs4CuSb2Cl12/NiO/Au hücre yapısı SCAPS programında oluşturuldu, optimize edildi ve FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/NiO/Au hücre yapısı ile karşılaştırıldı. Soğurucu katman ve HTL optimizasyonları kalınlık, kusur yoğunluğu, mobilite, soğurma katsayısı ve yakalama kesit alanı parametreleri için gerçekleştirildi. NiO yerine farklı maddeler HTL olarak kullanıldı. Ardından CuSbS2/NiO ve CNTS/NiO, FTO/TiO2/Cs4CuSb2Cl12/HTL1/HTL2/Au hücre yapısında HTL olarak kullanıldı. Sonuçlara örnek olarak; silisyum yüzeyindeki ortalama reflektans (380-1000 nm) yaklaşık %39'dan %8.72 değerine düşürüldü. En yüksek optimum hücre verim değeri Cs4CuSb2Cl12 soğurucu katmanlı hücre için %19.84, CH3NH3PbI3 soğurucu katmanlı hücre için %21.83 ve CNTS/NiO çift katman HTL için %19.95 olarak elde edildi.