Design, fabrication, and characterization of normally-off GaN hemts

GaN tabanlı yüksek-elektron-mobiliteli transistörleri 1990'lı yılların başında ortaya çıktıklarından beri yoğun bir şekilde çalışılan ve GaN malzemesinin yüksek kırılma alanı, yüksek satürasyon hızı ve yüksek mobilitesi sayesinde düzenli olarak silikon tabanlı güç transistörlerine rakip olarak gösterilen aygıtlar olmuşlardır. Normalde kapalı olan GaN YEMT cihazları, güç elektroniği uygulamalarında özellikle önemlidir. Bu tez, teorik arkaplan incelemesi, teorik analiz, fiziksel temelli aygıt simülasyonları, aygıt üretimi ve optimizasyonu ve elektriksel karakterizasyonu dahil olmak üzere normalde kapalı yüksek elektronlu mobil transistörlerin kapsamlı bir çalışmasını sunar. Kapı bölgesinde p-GaN katmanı içeren InAlN/GaN YEMT ve gömme kapı aşındırması içeren AlGaN/GaN metal-yalıtkan-yarıiletken MYY-YEMT aygıtları başarıyla gösterilmiştir.