Organik bileşenli Schottky diyotlarında arayüzey durumlarının elektriksel iletkenliğe etkisi

Bu tez çalışmasında, organik bileşenli ve bileşensiz Shottky diyotları üretilmiş ve bu iki yapının karşılaştırmalı olarak temel elektriksel parametrelerindeki değişiklikler incelenmiştir. Bunun için p tipi bir silisyum alttabaka üzerine ince bir organik arayüzey tabakası kaplanarak metal/organik/inorganik yapılar oluşturulmuştur. Arayüzey tabaka olarak coronenen organik bileşiği kullanılmış olup, bu malzeme silisyum alttabaka üzerine döndürerek kaplama tekniğiyle oluşturulmuştur. Termal buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar oluşturulmuş, yapıların oda sıcaklığında ve karanlık ortamda gerilime bağlı akım, kapasite ve iletkenlik ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Ölçümlerden elde edilen veriler yardımıyla her iki yapı türünün temel diyot parametreleri farklı teknikler kulanılarak incelenmiştir. Her iki yapı da Schottky tipi davranış göstermiştir. Organik bileşikli arayüzey tabaka, yapıların akımını, ve kapasite değerlerini önemli ölçüde azaltmış, seri direnç değerlerinde ise artma meydana getirmiştir. Her iki yapı türünün de enerjiye bağlı arayüzey dağılım profilleri bant aralığının orta kısmından başlayarak değerlik bandı seviyesine doğru üstel bir şekilde artmıştır. Organik bileşikli yapıdaki tuzak yoğunluklarının organik bileşiksiz yapılardakinden daha az olduğu tespit edilmiş olup, bu durumun oluşturulan organik arayüzey tabakasının silisyum yüzeyini başarılı bir şekilde pasifize ettiğini sonucuna varılmıştır.