A ku-band pHEMT MMIC high power amplifier design

Güç yükselteçleri, radar ve haberleşme sistemlerinin en önemli parçalarından biri olarak gösterilmektedir. Sistem gereksinimlerini sağlamak adına, güç yükselteçleri yüksek güç ve kazancı aynı anda sağlamalıdır. RF ve Mikrodalga frekanslarında, AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanlı sahte biçimli yüksek elektron mobiliteli transistorler yüksek güç ve kazancı aynı anda sağlayarak önemli avantajlar sunmaktadır. Elektriksel performans, maliyet ve güvenilirlik açısından bakıldığında, pHEMT MMIC yüksek güç yükselteçleri Ku bant frekansları için en iyi alternatiflerden birisi olarak görülmektedir. Bu tezde, 3-katlı AlGaAs/InGaAs/GaAs tabanlı, 16-17.5 GHz bandında çalışan bir pHEMT MMIC yüksek güç yükselteci geliştirilmiştir. MMIC, 4 mil kalınlığında bir wafer üzerine 0.25 mikron kapı uzunluğuna sahip bir pHEMT prosesi kullanılarak 5.5x5.7 mm^2 büyüklüğünde ürettirilmiştir. 8V drain geriliminde, 85°C taban sıcaklığında, 26-24.5 dB küçük sinyal kazancı ile 3 dB doyum noktasında sürekli çalışma modunda 10-W (40 dBm) çıkış gücü, %25-30 drain verimliliği ile birlikte elde edilmiştir.