SiC tabanlı çift aktif köprü çeviricilerin sebep olduğu elektromanyetik girişim analizi ve bastırılması

Çift aktif köprü (ÇAK) DC/DC çeviricisi devresi elektrikli araç ve mikro şebeke teknolojilerinde çokça kullanılan çift taraflı enerji iletimi yapan çeviricilerdir. Mikro şebeke sistemlerinin yaygınlığının yanı sıra elektrikli araçlar ve bu araçların üzerindeki bataryaların çeşitlerinin artması ile birlikte DAB devrelerinin de önemi artmasının yanı sıra yeterli hacmin olmadığı elektrikli araçlarda bu tip çeviricilerin yüksek güç yoğunluğunda çalışması beklenmektedir. Güç yoğunluğunu yükseltmenin en iyi yollarında birisi anahtarlama frekansını artırmaktır. Ancak bu yöntem DAB devresinin sebep olacağı elektromanyetik girişimi (EMG-EMI) artırır. Bu tez çalışmasında SiC MOSFET tabanlı DAB devresi üzerinde uygulanabilen faz kaydırma yöntemleri ve bu yöntemlerin EMI değişimlerine etkisi değerlendirilmiştir. 1000W güç çıkışlarında çalışabilen SiC tabanlı DAB devre prototipi tasarlanmış ve geliştirilmiştir. Anahtarlama frekansı kHz olarak belirlenerek kaçak endüktans değeri 25µH olarak sabit kılınmıştır. Bu noktadan sonra devre SPS yöntemi ile belirli faz kayma oranları ile çalıştırılmış ve EMI sonuçları gürültü bileşenlerine ayrılarak kaydedilmiştir. Daha sonra faz kaydırma yöntemi değiştirilerek 1189 farklı yöntem içerisinde verimliliği değişmeyen ancak daha düşük EMI sonuçları veren faz kaydırma yöntemleri keşfedilmiştir. Devrenin DPS yöntemiyle çalıştırıldığında SPS yöntemindeki gibi %90 verimlilikte çalışırken SPS yönteminden 7dBuV daha az iletimle yayılım yaptığı gösterilmiştir. Faz kaydırma yöntemleri benzetim programları ve deneysel sistemle incelenerek sonuçlar gösterilmiştir. Böylece donanımsal bir eklenti yapmadan kaynağında yazılımsal değişiklik yaparak aynı verimlilikte devrenin EMI değerlerinin bastırıldığı gösterilmiştir.