SILAR ve dönel kaplama metotları kullanılarak büyütülen çinko oksit (ZnO) ince filmlerde uyarılmış emisyonun incelenmesi

Bu çalışmada, silisyum altlık üzerine SILAR ve dönel kaplama yöntemleri kullanılarak çinko oksit yarıiletken tabakası büyütülmüştür. Altlık olarak p-tipi ve n-tipi silisyum kullanılmış, elde edilen numunelerin analizi ile iki yöntemin üstünlükleri ve eksiklikleri incelenmiştir. Elde edilen yapıların yüzey morfolojilerinin ve kristal yapılarının incelenmesi için sırasıyla taramalı elektron mikroskobu (scanning electron miscroscope - SEM) ve X-ışını kırınımı (X ray diffraction - XRD) ölçümleri yapılmış ve optik özelliklerinin incelenmesi için fotolüminesans (photoluminescence - PL) ölçümleri alınmıştır. SEM ölçüm sonuçlarından yüzeylerin homojen yapıda olduğu ve yüzeylerde nano çubukların oluştuğu, XRD ölçümlerinden ZnO piklerinin varlığı gözlemlenmiştir. PL ölçümlerinden de numunelerin 380 nm dalgaboyu civarında emisyon yaptığı görülmüştür. Tüm ölçüm sonuçları göz önüne alındığında, dönel kaplama yönteminin SILAR yöntemine göre daha avantajlı olduğu ortaya çıkmıştır. Ayrıca iki boyutlu ZnO ince film yapısı modellenmiş ve ZnO rastgele lazer simülasyonu zaman uzayında sonlu farklar metodu ile gerçekleştirilmiştir. Elde edilen model farklı pompalama miktarları için simüle edilmiş ve uyarılmış emisyon eşiğinin üstünde ve altında emisyon özellikleri incelenmiştir.