SILAR metoduyla elde edilen Cu/CuS/n-GaAs/In yapının elektriksel karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi

Yapılan yükseklisans tez çalışmasında n-GaAs ve cam taban malzemeler üzerine CuS ince filmleri Sıralı İyonik Tabaka Çökelmesi ve Reaksiyonu (SILAR) yöntemiyle büyütüldü. Cam taban malzeme üzerine büyütülen CuS ince filmlerine ait yapısal ve optik özellikler XRD, SEM, optik soğurma analizleri ile incelendi. Optik soğurma ölçümleri kullanılarak CuS ince filmine ait yasak enerji aralığı 2.05 eV olarak hesaplandı. Yapılan XRD analizleri incelendiğinde filmin polikristal yapıda olduğu görüldü. n-GaAs yarıiletkeninin mat yüzeyine In metali ile omik kontak yapıldı, parlak yüzeyine CuS ince filmi büyütüldü ve CuS ince filmi üzerine 1 mm çaplı dairesel maskeler kullanılarak Cu metali buharlaştırıldı ve Cu/CuS/n-GaAs/In yapı elde edildi. Daha sonra elde edilen bu yapının, 100 K- 200 K- 300 K sıcaklık değerlerinde düz beslem akım-voltaj (I-V) grafiklerinden Termoiyonik Emisyon, Norde, Cheung metodları kullanılarak idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında (300 K) frekansa bağlı olarak alınan kapasite-voltaj (C-V) ölçümlerinden ve C-2-V grafiklerinden difüzyon potansiyeli, donor konsantrasyonu, Fermi seviyesi ve engel yüksekliği değerleri hesaplandı. 500 kHz frekans değerinde sıcaklığa bağlı olarak 100 K ve 200 K değerlerinde aynı hesaplamalar tekrarlandı. Ters beslemde uygulama gerilimi arttıkça, kapasitenin hızlı bir şekilde azaldığı görüldü. Ayrıca Cu/CuS/n-GaAs/In diyodunun doğrultma oranı ve arayüzey hal yoğunluğu değerleri numune sıcaklığına göre I-V karakteristiklerinden hesaplandı.