Molecular dynamics simulation study of silicon nanotubes

Karbon ve silikon elementleri periyodik tabloda aynı grupta bulunduklar³ ve benzer elektronik konfigurasyonlara sahip oldukları için bilinen karbon nanotüpler gibi silikon nanotüplerin de bulunması olasılıgı son zamanlarda büyük ilgi toplamaktadır. Tek duvarlı hekzagonal silikon nanotüpler (hSiNT) grafin benzeri silikon yüzeylerin yuvarlanmasıyla oluşturulabilirler. Literatürde bulunan kuramsal öngörülerin pek çoğu bu tür silikon nanotüpler üstünedir.Bu tezde tek duvarlı hekzagonal silikon nanotüplerin simulasyonu yarı-ampirik sıkı-bag moleküler dinamik (TBMD) teknikleri kullanılarak yapılmaktadır. Uygun sıkı-bağ çift potansiyel parametreleri ab initio hesaplama sonuçlarına çakıştırılarak belirlenmiştir. Hekzagonal silikon nanotüpler için bu değerler literatürde verilen toplam enerji değerlerini verecek şekilde optimuma getirilmiştir. Farklı simetrik yapıdaki tek duvarlı hSiNT'ler için çalşmalar yapılarak kiralite ve yarıçapın enerji, germe enerjisi ve elektronik durum yoğunluğu üzerine etkisine bakılmıştır. TBMD simulasyon sonuçlarımız verilmiş ve hSiNT'lerin kararlı olup olamayacakları tartışılmıştır.