Sodyum katkili Cds i̇nce filmlerinin ve nCdS/pSi güneş pillerinin bazi karakteristik özelliklerinin i̇ncelenmesi

Bu çalışmada, II–VI yarıiletken grubuna ait CdS ince filmlerine ve nCdS/pSi güneş pillerine sodyum katkısının etkisi incelendi. İlk önce CdS ince filmleri kimyasal banyo yöntemiyle cam altlıklar üzerinde üretildi. Bu filmlerin yapısal, elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. CdS filmlerin kalınlığı yaklaşık olarak 140 nm olduğu belirlendi. X-ışını kırınım desenleri hegzagonal faza ait düzlemlerden yansımalar gösterdi. Artan sodyum katkısı ile örneklerin tane boyutunun 6,20 nm'den 4,09 nm'ye doğru azaldığı hesaplandı. Sodyum katkısı ile örneklerin optik geçirgenliğinde artışlar görüldü. Farklı sodyum yoğunluklarında üretilen CdS örneklerinin optik soğurma spektrumlarından elde edilen yasak band aralıklarının 2,62 eV'dan 2,88 eV'a doğru arttığı tespit edildi. Sodyum katkısı ile örneklerin özdirenci artarken taşıyıcı yoğunluğunun ve elektron hareketliliğinin azaldığı tespit edildi. Çalışmanın ikinci aşamasında farklı yoğunluklarda sodyum içeren nCdS ince filmleri pSi tek kristal yüzeyine kimyasal banyo yöntemiyle çöktürülerek nCdS/pSi ikili yapıları üretildi. Elde edilen ikili yapının fotovoltaik parametreleri 93 mW/cm2 aydınlatma gücünde olan yapay güneş ışını altında incelendi. Sodyum katkılı nCdS/pSi heterogeçitlerin temas bölgesinde oluşan Na2SiO3 fazı tespit edildi ve bu fazın akım mekanizmasına olan etkileri araştırıldı.