Soğuk altlık yöntemiyle Ag/n-Si metal-yarıiletken ikili yapıların üretilmesi ve karakteristik özelliklerinin incelenmesi

Bu tez çalışmasında en önemli husus, daha önceden denenmeyen yeni bir teknolojik sürecin Ag/n-Si ikili yapılarının oluşumunda kullanılmasıdır. Soğuk altlık tekniği olarak adlandırılan bu yeni uygulamada, altlık yüzeyi eşit boyutlu kümelerle kaplanmaktadır. Bu büyüme mekanizmasına soliton büyüme mekanizması adı verilir. Bilindiği üzere nano boyutlu gümüş taneleri UV ışınları ile ışınlandırıldığında yüzeysel plazmon rezonans olayı gerçekleşmektedir. Gümüş tanelerinin bu özellikleri kullanılarak ilk defa ısısal tahribata uğratmadan n-Si tabanlı polikristal yapı yüzeyine 200 K ve 300 K sıcaklıklarında kısmen kapalı ortamda soğuk altlık yöntemi ile gümüş buharlaştırılarak Ag/n-Si ikili yapılar (Schottky diyot) oluşturuldu. Metal-yarıiletken geçidinin oluşumu için bu ikili yapılar foto-uyarmalı difüzyon sürecine tabi tutuldu. Elde edilen örneklerin XRD, SEM, EDS ve FESEM ölçümleri alınarak yapısal özellikleri incelendi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n) ve sıfır besleme engel yüksekliği (ΦB) gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Ayrıca Cheung yöntemi kullanılarak seri direnç (Rs) ve idealite faktörü (n) hesaplandı. 200 K altlık sıcaklığında üretilen Schottky diyotlarda elde edilen karakteristik özelliklerin 300 K'e kıyasla daha verimli olduğu gözlemlendi. Bunun nedeni 200 K altlık sıcaklığında silisyum yüzeyindeki gümüş tabakasının eşit boyutlu kümelerden oluşmasından ve bu tabakaların UV ışını ile ışınlanarak foto-uyarmalı difüzyon sürecine tabi tutulmasından kaynaklanmaktadır.