FCNC tqZ kuplajlarının vZp üretimi yoluyla gelecek elektron-proton çarpıştırıcılarında incelenmesi üzerine bir çalışma

Standart modelde, ağaç seviyesinde üst kuark çeşnisini değiştiren nötr akımlar yoktur. Sonuç olarak, bu akımları içeren süreçler döngü düzeyinde üretilebilir ve bundan dolayı güçlü bir şekilde bastırılmaları beklenir. Bununla birlikte, standart modelin ötesinde yeni fiziğin varlığında geliştirilebilir ve gelecekteki yüksek enerjili çarpıştırıcılarda test edilebilirler. Bu tezde, tqZ kuplajları, K_ut ve K_ct, üzerindeki en iyi limitleri e p→υ_(e ) Z q süreci ile gelecekteki LHeC ve FCC-he çarpıştırıcılarında üst kuark anormal çeşni değiştiren nötr akımını efektif alan teorisi çerçevesinde inceledik. Sinyal ve SM arka plan olayları Madgraph kullanılarak oluşturulmuştur ve gerçekçi dedektör efektlerini dahil etmek için ise Delphes kullanılmıştır. Kuplajların büyük değerlerini aldığımızda ve K_ut=K_ct olarak ayarladığımızda, sinyal tesir kesitlerinin belirgin şekilde arttığını bulduk. Ayrıca, son durum parçacıklarının kinematik dağılımlarını inceledik ve belirli kestirmelerin uygulanmasının sinyali iyileştirebileceğini gördük. Çalışmamız FCC-he'nin en iyi limitleri BR (t → qZ) for (Z→ll) =4×〖10〗^(-4) verdiğini göstermektedir.