The influence of gamma rays on electrical and contact properties of the Al/orange G/p-type Si MIS devices

Bu çalışmada Orange G (OG) organik ince film kullanılarak üretilen Al/OG/p-Si diyotunun Co-60 gama ışınlamasıyla öncesinde ve sonrasında Cheung ve Norde teknikleriyle ve KEITHLEY 4200-SCS vasıtasıyla elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında, karanlık ortamda akım-gerilim(I-V) ölçümü, kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri yapılmıştır. Yapılan ölçümler sonucundan elde edilen değerler çizelgede gösterilmiş ve grafiklendirilmiştir. Elde edilen değerler doğrultusunda bariyer yüksekliği (ɸB), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir.