Yeni sentez kobalt ftalosiyanin tabanlı organik transistör üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

Yeni sentez kobalt ftalosiyanin (CoPc) tabanlı organik alan etkili transistör (OFET) ve organik ince film transistör (OTFT) dielektrik materyal kapı olarak SiO2 ile oluşturuldu. 1-Dodecanol parçasını içeren yeni sentez kobalt ftalosiyanin 1H NMR, FT-IR, MALDI-TOF/MS, UV-Vis spektral ve termal analiz yöntemleriyle karakterize edildi. Sonrasında kompozit yarıiletken materyal ve yeni sentez CoPc tabakalı OTFT'nin elektriksel karakterizasyonu incelendi. Termal buharlaştırma yöntemiyle cihazın kaynak ve savak kısmı için Ag, kapı kısmı için de Au kaplandı. CoPc tabaka spin kaplama metoduyla hazırlandı. Yapılan ölçümler sonucunda CoPc OTFT'nin doygunluğu ( µFET ) 2,01x10-1 cm2/Vs mertebesinde olduğu görüldü. Ayrıca cihazın Ion/Ioff ve VT değerleri sırasıyla 2x102 ve -2,25 V olarak hesaplandı.Sonuç olarak yapılan çalışma bize yeni sentez CoPc'nin OTFT üzerinde kayda değer bir performansa sahip olduğunu göstermiştir. Anahtar kelimeler: OTFT, OFET, kobalt ftalosiyanin, SiO2, kompozit yarıiletken, mobilite