AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini

Bu çalısmada elektronik ve opto-elektronik cihazların üretilmesinde kullanılan AlxGa1-xAs/GaAs tek kuantum kuyulu (QW), AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN çoklu kuantum kuyulularının (MQWs) büyütülerek, optik ve yapısal özellikleri incelendi. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile InxGa1-xN/GaN LED ise Metal Organik Buhar Faz Birikimi (MOVCD) teknikleri ile büyütüldü. Büyütülen AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN yarıiletkenlerinin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Isını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Fotolüminesans (PL) sistemleriyle belirlendi. Anahtar Kelimeler :MBE, MOVCD, QW, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN