AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
2007
0 görüntülenme
0 i̇ndirme
Danışman: Prof. Dr. Süleyman Özçelik
Özet (TR)
Bu çalısmada elektronik ve opto-elektronik cihazların üretilmesinde kullanılan AlxGa1-xAs/GaAs tek kuantum kuyulu (QW), AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN çoklu kuantum kuyulularının (MQWs) büyütülerek, optik ve yapısal özellikleri incelendi. AlxGa1-xAs/GaAs (100) LED Moleküler Demet Epitaksi (MBE) ile InxGa1-xN/GaN LED ise Metal Organik Buhar Faz Birikimi (MOVCD) teknikleri ile büyütüldü. Büyütülen AlxGa1-xAs/GaAs ve InxGa1- xN/GaN yarıiletkenlerinin kristal yapı analizi ve optik özellikleri Yüksek Çözünürlüklü X-Isını Kırınımı (HR-XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), Spektroskopik Elipsometre (SE) ve Fotolüminesans (PL) sistemleriyle belirlendi. Anahtar Kelimeler :MBE, MOVCD, QW, MQW, AlxGa1-xAs/GaAs, InxGa1-xN/GaN
Yazar
Dr. Sabit Korcak
Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır
Sabit Korcak (Doktora Tezi). AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini, 2007, Gazi University.
Anahtar Kelimeler
Lisans
Tüm Hakları Saklıdır
Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.
Gazi University tezlerinden daha fazlası
- Türkiye petrol ve gaz sondaj sahası iş kazaları analiz ve modellemesi(2021)
- Experimental development of the interfacial bond-slip model between textile reinforced mortar strips and masonry walls(2025)
- Yarıiletken nem sensörlerinin geliştirilmesi(2021)
- Bilgisayar destekli ve doğrudan strateji öğretimimin okuduğunu anlamaya etkisi(2021)
- Mühendis adayı öğrencilerinin integral problem çözüm süreçlerinin bloom taksonomisi ile kavramsal ve işlemsel bilgi açısından incelenmesi(2021)
- TCDD (Türkiye Cumhuriyeti Devlet Demiryolları) nin durumu ve mali yapısı(2006)