Arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au schottky diyodların karakteristik parametrelerinin teorik ve deneysel karşılaştırılması

ÖZET Bu çalışmada <111> doğrultulu n-tip Silisyum dilimleri taban alınarak, arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au diyodlan imal edildi. Bunların I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreleri deneysel ve teorik olarak karşılaştırıldı. idealite faktörü değerine bağlı olarak Dİ diyodunun ideal bir diyod, D2 ve D3'ün ideal olmayan diyodlar olduğu görüldü. Bu ideal olmayış arayüzey hallerine ve arayüzey tabakasına atfedildi. Bu diyodlar için elde edilen engel yüksekliğinin değerleri, I-V karakteristiklerinden C-V karakteristiklerinden elde edilen değere hemen hemen eşit olduğu görüldü. Arayüzey tabakasız Dİ diyodunun iki noktası için doğru ve ters beslem I-V karakteristiklerinden elde edilen engel yüksekliklerinin değerlerinin eşit, ideal olmayan D2 ve D3 diyodların ters beslem I-V den elde edilen engel yüksekliği değerleri doğru beslem I-V'den elde edilen değerlerden küçük olduğu görüldü. Doğru beslem I-V karakteristiklerinin deneysel değerlerini kullanarak çizdiğimiz yüzey potansiyeli - gerilim (\|/s - V) grafiklerinden de engel vükseklikeri hesaplandı. Bu değerlerin diğer metodlarla elde edilen değerlerle yakın bir uyum içinde olduğu görüldü. Arayüzey tabakalı Schottky diyodlarının C2 - V grafiklerinin kesişim voltajı daima ideal Schottky diyodlarınkinden büyük olduğu görüldü. Diyodlarm arayüzey hal enerji dağılım eğrileri çizilerek karşılaştırıldı. Arayüzey tabakalı diyodların arayüzey hal yoğunluk değerlerinin daha düşük olduğu görüldü. Bu durum, arayüzey oksit tabakası tarafından doymamış bağların doymasına bağlandı.