Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada, [100] yönelimli, 380 ?m kalınlığında ve 1x1018cm?3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi Si yarıiletken üzerine, metal buharlaştırma metodu ile yüksek vakumda Au/TiO2/n-Si/Au yapısı hazırlandı. UHV magnetron püskürtme sisteminde, Ar+O2 gaz ortamında yüksek safsızlıktaki (99,999%) Ti kaynağı kullanılarak n tipi Si üzerine TiO2 ince film oluşturuldu. Bu yapının bazı temel elektriksel parametreleri 120?400 K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan bu yapıların 120?400 K sıcaklık aralığında yapılan akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü (n), Schottky engel yüksekliği (?B) ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında idealite faktörü ve engel yüksekliği sırasıyla 3,20 ve 0,771 eV olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. Ek olarak, oda sıcaklığında ışık altında bazı diyot parametreleri hesaplandı. Işık kaynağı kullanılarak 10?250 watt arası kaynağın çıkış güçlerinde akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı.Bu yapının bazı elektriksel parametreleri; difüzyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (?B), donor konsantrasyonu (ND), tüketim tabakası genişliği (WD) ve yalıtkan tabaka kalınlığı (?), 120 K?400 K sıcaklık aralığında 1 MHz frekansta ve oda sıcaklığında farklı frekanslarda kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri ile hesapladı. Oda sıcaklığındaki C-V ölçümlerinden engel yüksekliği ve donor konsantrasyonu sırasıyla 0,761 eV, 1,92x1016 cm?3 olarak hesaplandı.Anahtar Kelimeler : Schottky Engeli, Metal Yarıiletken Kontaklar, Diyot Parametreleri, TiO2