Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi

Bu çalışmada GaAs, GaP, InAs ve InP ikili bileşikler ile bu bileşiklerin üçlü (InxGa1-xAs, InxGa1-xP, InAsyP1-y, InAs1-yPy ve GaAs1-yPy) ve dörtlü (InxGa1-xAs1-yPy) yarı iletken alaşımlarının x ve y kompozisyonuna bağlı olarak elektronik, elastik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metotla çalışıldı. Alaşımların örgü parametreleri, bant yapıları, toplam durum yoğunluğu, elastik sabiti ve bulk modülü hesaplandı. Ayrıca foton enerjisine bağlı lineer dielektrik fonksiyonları, soğurma katsayısı, sönüm katsayısı, kırılma indisi, enerji-kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi bazı optik özelliklerin scissors yaklaşımı altında hesaplandı. GaAs yapının In ve P eklenme oranlarına bağlı olarak oluşan InxGa1-xAs, GaAs1-yPy üçlü ve (InxGa1-xAs1-yPy) dörtlü alaşımlarının x ve y = 0,5 değerinde optik özellikleri karşılaştırılarak incelendi. Yapıların (GaAs1-yPy y ? 0,5 dışında) ? simetri noktasında doğrudan yasak enerji aralığına sahip olduğu görüldü. Elde edilen sonuçlar, deneysel ve teorik çalışmalarla uyumlu olduğu tespit edildi.