Ge yarıiletken numunelerinin elektriksel karakterizasyonu

Bu çalışmada germanyum yarıiletkenlerinin iletim özellikleri incelendi. Üç tipGe numunenin manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi 35-350 sıcaklık aralığındayapıldı. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri kuvvet modeli kullanılarak analiz edildi.İncelenen numuneler yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlik gösterirkendüşük sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Özdirenç, HallMobilitesi ve taşıyıcı yoğunlukları araştırıldı. Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hallölçümleri birbirleri ve literatürle karşılaştırıldı. Sıcaklık bağımlı bireysel bantparametreleri, E g 'leri ve safsızlık bağlanma enerjileri hesaplandı.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : Ge, Hall mobilitesi, Elektron iletim, X-ışını KırınımıSayfa Adedi : 69Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Kemal ÇOLAKOĞLU