İnce filmlerde hall efekt tekniği ile manyetorezistans ölçümü

Bu çalışmada 9 nm kalınlığındaki tek katmanlı Ni81Fe19 film, Silisyum (Si) alttaş üzerine sıçratma ile biriktirme tekniği ile elde edilmiştir. İlk olarak bu numuneye 300 K sabit sıcaklıkta ±1,4KG aralığında değişen dış manyetik alan uygulanmıştır. Direnci (3,90x10-5 den – 3,83x10-5 Ω cm' e) azalma, taşıyıcı yoğunluğu (1,29x1021 den – 3,03x1021 cm-3 'e) artış ve Hall mobilitesinde (1,24x102 'den - 5.29x101 cm2V-1s-1 'e) azalma gözlemlenmiştir. İkinci olarak numuneye 7,5 KG sabit dış manyetik alanda 20-300 K arasındaki sıcaklıklar uygulandığında dirençte (2,54x10-5 'den – 3.84x10-5 'e Ω cm) artış, taşıyıcı yoğunluğunda (2,99x1021 'den - 1.68x1021 cm-3 'e ) azalma, Hall mobilitesinde (7,98x10 'den – 9,53x10cm2V-1s-1 'e) artma gözlemlenmiştir. Aynı numunenin manyetik alan olmadan direnç değerinin (2,63x10-5 'den – 3,91x10-5 Ω cm 'e) daha yüksek olduğu gözlemlenmiştir. Son olarak 25-350 K sıcaklık aralığında ve her sıcaklık değeri için ± 1,4 KG değişen manyetik alanlarda direnç değişimi izlenmiştir. Manyetik alana bağlı olarak sıcaklığın artması ile direncin azaldığı gözlemlenmiştir. Anahtar Kelimeler: Manyetorezistans, Taşıyıcı yoğunluğu, Mobilite, İnce film, Hall Etki.