InP bazlı Schottky diyotlarda I-V, C-V, DLTS çalışmaları

Bu çalışmada LEC tekniğiyle büyütülmüş p-InP ve MBE tekniğiyle büyütülmüş n-InP yarıiletken malzemeleri kullanarak hazırlanan Sn/p-InP ve Au/n-InP Schottky engel diyotların (SBDs) geniş bir sıcaklık aralığında akım-voltaj (I-V), kapasite-voltaj (C-V) ve derin seviye geçici spektroskopisi (DLTS) ölçümleri yapıldı. Elde edilen Schottky engel diyotların I-V ölçümlerinin analizinden artan sıcaklıklarla ideallik faktörü (n) değerleri azalırken; engel yüksekliği ( ? B) değerlerinin arttığı görüldü. C-V ölçümlerinin analizinden SBD yapıların engel yüksekliği ( ? B), taşıyıcı konsantrasyonu (NA ve ND) veFermi enerji seviyesi (EF) gibi parametreler hesaplandı. Sn/p-InP SBD yapının 80-400 K sıcaklık aralığında yapılan DLTS ölçüm sonuçlarının analizinden yasak bant aralığında Ev+0,31 eV pozisyonunda yerleşmiş bir adet derin tuzak seviyesi tespit edildi. Bu seviyesinin Zn-ilişkili bir kusur seviyesi olduğu yorumu yapıldı. Ayrıca 100-340 K sıcaklık aralığında Au/n-InP SBD yapısında DLTS ölçüm sonuçlarından Ec-0,14 ve Ec-0,70 eV seviyelerinde yerleşmiş iki tuzak seviyesi tespit edildi. Bu iki kusur seviyesinin sırasıyla fosfor boşluğu ve bant aralığı ortasında yerleşim gösteren bir kusur seviyesi olduğu yorumu yapıldı.Deneysel sonuçlar, hazırlanan Schottky diyot yapıların elektriksel karakteristiklerinde, engel yüksekliklerindeki homojensizliklerin, arayüzey durumlarının ve seri direncin önemli bir rol oynadığını göstermiştir. Sn/p-InP ve Au/n-InP SBD yapılarda kaydedilen DLTS ölçümlerinin analizinden, bu derin seviyeler yarıiletkenin yasaklanmış band aralığında yerleşmiş etkin kusur seviyeleri olarak yorumlandı.