Işığa duyarlı yarı iletken gaz boşalma yapısının karakteristik özellikleri

IŞIĞA DUYARLI YARIİLETKEN GAZ BOŞALMA YAPISININ KARAKTERİSTİK ÖZELLİKLERİ (Doktora Tezi) Hatice Hilal YÜCEL KURT GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Haziran 2004 ÖZET Bu çalışmada hava ortamında düzlemsel bir boşalma hücresindeki gaz kırılması, yarıiletken elektrodun farklı R elektrot alan çapları ve farklı L elektrotlar arası mesafeleri için belirlendi. Büyük çaplı GaAs yarıiletken katottu gaz boşalma sistemin akım voltaj karakteristikleri geniş bir gaz basıncı p (28*550 Torr) bölgesinde deneysel olarak incelendi. İlk defa L/R parametresinin sistem karakteristikleri üzerindeki etkisi yarıiletken katotlu gaz boşalma hücresi için araştırıldı ve bu parametrenin optimal şartların sağlanması için yeni bir parametre olarak önemli olduğu tespit edildi. Ayrıca gaz boşalma ışımasının davranışı da ilk defa gaz boşalma aralığının farklı R çap değerleri için incelendi. Yarıiletken gaz boşalma yapısı oldukça karmaşık lineer olmayan sistemlerdir. Fiziksel özelliliği nedeniyle kararlı duruma ulaşılmadan önce sistem çok karmaşık bir geçiş davranışı gösterebilir. Yine yüksek elektrik alanlarda GaAs elektrodun aktif özelliklerinin, akım ositasyonlannı meydana getirdiği deneysel çalışmalar esnasında tespit edildi. Sunulan osilasyonlar düzlemsel yapının yarıiletken bileşeninin negatif diferansiyel direncinin (NDD) varlığını kanıtlar. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : Negatif diferansiyel direnç, kararsızlık, kırılma, gaz boşalma, GaAs fotodedektör Sayfa Adedi : 145 Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Bahtiyar SALAMOV