Metal-yarıiletken Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada, Au/n-GaAs metal-yarıiletken (MS) Schottky diyotların frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ve sıcaklığa bağlı akım-voltaj (I-V) karakteristikleri 1 kHz-1 MHz frekans ve 300-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre; I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği ( ? Bo) ve arayüzey durum yoğunlukları (Nss) gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Ayrıca, ? Bo-q/2kT grafiğinden ortalama engel yüksekliği ( Bo) ve standart sapma ( ? s) değerleri sırasıyla 0.912 eV ve 0.132 V olarak elde edildi. Böylece, modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden, ve Richardson sabiti (A*) değerleri sırasıyla, 0.914 eV ve 8.317 Acm-2K-2 olarak elde edildi.