Nano yapılı metal oksit yarıiletkenler kullanılarak foto diyotların üretilmesi

Bu tezde katkısız ve katkılı CdO ve ZnO filmler sol jel yöntemi ile hazırlandı. CdO ve ZnO filmler spin coater metodu kullanılarak cam altlık üzerine oluşturuldu. Hazırlanan CdO ve ZnO filmlerin yasak enerji band aralığını belirlemek için absorbans, transmitans ve reflektansları ölçüldü. Filmlerin yapısal özellikleri XRD ve AFM tekniği ile araştırıldı. XRD sonuçları CdO ve ZnO filmlerin polikristal yapıya sahip olduğunu doğruladı.Hazırlanan Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotların akım-voltaj, fotoakım, kapasite-voltaj ve iletkenlik-voltaj elektriksel karakterizasyonu ölçümleri gerçekleştirildi. Diyotların arayüzey özellikleri ve elektriksel parametreleri Ni ve Al katkılara bağlı olarak değişti.Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotların doğrultma ve fotocevap özellikleri katkı miktarına bağlı olarak değişti. Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotlarda en iyi foto duyarlılığı %0.1 Al ve Ni katkılar için gösterdi.Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotların fotocevap özelliklerinin farklı metal katkılar kullanılarak bu özelliklerin geliştirilebildiği bulundu.