RF magnetron püskürtme yöntemi ile ZnO:Al2O3 ince filmlerın üretimi ve karakterizasyonu

Bu çalışmada RF Magnetron Püskürtme Yöntemi ile silikon alttaş üzerine 200 °C'de Al2O3 katkılı ZnO (çinko oksit) ince filmler üretildi. Farklı Ar/O2 oranlarında büyütülen ince filmler daha sonra hızlı termal tavlama (RTA) sistemi ile bir dakika süresince vakum ve oksijen ortamında tavlandı. Biriktirme süresince argon-oksijen oranının ve farklı ortamlarda tavlama sıcaklığının filmlerin yapısal, optik ve yüzey özelliklerine etkisi XRD, PL ve AFM yöntemleriyle incelendi. ZnO:Al2O3/n-Si numunelerin kristal tanecik boyutu, örgü parametresi, maksimum pik yarı genişliği (FWHM) ve kristallografik analizleri X-ışını kırınım yöntemiyle belirlendi. Hazırlanan numunelerin optik özellikleri, fotolüminesans (PL) spektrumundan alınan veriler yardımı ile belirlendi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) kullanarak yüzeyin atomik yapısı ve yüzey topografisi incelendi. Hazırlanan ZnO:Al2O3 ince filmlerin en optimal üretim ve tavlama şartları, optik ve yapısal özellikleri belirlendi. Hazırlanan ince filmlerin tavlamadan önce ve tavladıktan sonraki karakterizasyon sonuçları kıyaslandı ve tavlamanın numuneler üzerine olumlu etki yaptığı gözlendi.Anahtar Kelimler : ZnO, RF magnetron püskürtme yöntemi, X- Işını, AFM, Tavlama, optiksel ve yapısal özellikler,