Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri

Bu çalışmada, ultraince bariyerli AlInN/GaN ve ultraince bariyerli AlInN/AlN/GaN/AlN yapılarına sahip 4 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 30 ? 300 K sıcaklığı arasında, Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı yoğunlukları aynı sıcaklık aralıklarında 0 ? 1.4 T manyetik alan altında ölçülmüştür. Hall ölçüm sonuçlarında 2- boyutlu elektron gazı taşıyıcı yoğunlukları ve ilgili hareketlilikler hesaplandı. Sıcaklığa bağımlı Hall ölçüm sonuçları kullanılarak her bir numunenin saçılma analizleri yapıldı. Yapılan saçılma analizleri sonucunda; korelasyon uzunluğu, deformasyon potansiyeli ve kuyu genişliği gibi malzeme ile ilgili parametreler belirlendi.