Yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalışmanın amacı, yalıtkan tabakası steril cam bir kutu içinde oda sıcaklığında uzun bir süre bekletilerek doğal olarak oluşturulmuş Al/p-Si Schottky diyotların (SD) temel elektriksel parametrelerinin elde edilmesidir. Bu diyotlar aynı şartlarda aynı Si çeyrek yaprak (wafer) üzerinde üretilmişlerdir. Öncelikle bu diyotların Schottky engel yüksekliği ( ? B), idealite faktörü (n), arayüzey durum yoğunlukları (Nss) ve seri direnci (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri, deneysel akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerinden elde edilmiştir. Ayrıca etkin engel yüksekliğinin ( ? e) voltaja bağımlılığı göz önüne alınarak, Al/p-Si SD' lar için Nss' lerin enerji dağılım profilleri oda sıcaklığındaki I-V verilerinden elde edildi. Hem doğru beslem I-V hem de ters beslem C-2-V verilerinden elde edilen temel diyot parametreleri diyottan diyota değiştiği için bir Gaussian fonksiyonu ile fit edilmiştir. Ayrıca bu diyotlar arasından seçilen örnek bir Al/p-Si SD için I-V karakteristikleri 80-300 K sıcaklık aralığında incelenmiş ve diyotun akım iletim mekanizmaları hakkında bilgi edinilmiştir.Deneysel sonuçlar, metal-yarıiletken (MY) arasındaki yalıtkan tabakanın varlığının, arayüzey durumlarının, engel yüksekliklerindeki homojensizliklerin ve seri direncin yapının elektriksel karakteristikleri üzerinde önemli bir rol oynadığını göstermiştir.