Yeni nesil seramiklerden 312 TiSiC'nin üretilebilirliğinin araştırılması

Bu çalışmada, Ti / Si / C tozları basınçsız sinterleme yöntemi ile argon atmosferinde sinterlenmiştir. Ayrıca farklı sıcaklıklarda ve sürelerde sinterleme işlemi yapılmıştır. Böylece farklı sıcaklıklarda ve sürelerde Ti3SiC2 oluşumun etkisi incelenmiştir. Bu amaç doğrultusunda, sinterlenmiş numuneler kütle kaybı/artışı ölçülmüş, XRD ve SEM analizleri yapılmıştır. Çalışmalar sonucunda, Ti3SiC2 oluşumu görülmüştür.Sıcaklık, sinterleme süresinin ve başlangıç karışımına stokiometrik orandan fazla karbonun katılması Ti3SiC2 oluşuma etkisi gözlenmiştir. Fazla karbonun, sıcaklığın ve sürenin etkisi ile oluşan Ti3SiC2'nin ayrışmasıyla TiC ve SiC bileşiklerinin oluştuğu görülmüştür. Yapılan XRD incelemelerinin sonucunda, sıcaklık, süre, yapıdaki fazla karbon ve kullanılan grafit pota Ti3SiC2 oluşumunun azalmasına neden olmuştur. Yapılan basınçsız sinterleme sonucunda elde edilen numunelerde 1300˚C'de 2-4 saatlik numunede ve 1350˚C'de 4 saat sinterlenmiş numunede Ti3SiC2 oluşumu gözlenmişir. 1400-1500˚C sıcaklıklarında C, TiC ve SiC olduğu görülmüştür.