K.p approxımatıon usıng 4×4 luttınger kohn hamıltonıanfor hetero-structure band calculatıons

Yarı iletkenlerin bant yapısını değerlendirmek, kuantum lazerler, MOS-FET'ler (Metal oksit yarı iletken alan etkili transistörler), bipolar transistörler, diyotlar, yarı iletken sensörler oluşturmak için en önemli faktörlerden biridir. Bu tez çalışmasında, çinkoblend gibi bazı malzemelerin bant yapısını hesaplamak için k.p. (Kadomtsev-Petviashvili Denklemi) yöntemini genelleştirdik. Hem 4×4 Kane modeli hem de Luttinger-Kohn modeli yaklaşımlarını kullanarak GaAsAl ve GaAs bileşiklerinin bant yapısını hesapladık. Kane modeli, ağır delik bandı için yanlış etkin kütle sağlar, bantlar arasındaki mesafeyi dikkate almaz ve sadece dört bandı dikkate alır. Ancak bu model, Luttinger Kohn modeli için faydalı olan temel fonksiyonları geliştirmiştir. Luttinger Kohn modeli, Kane modelinin tüm hatalarını düzeltir ve bantları, A sınıfı olarak adlandırılan ana ilgi bantları ve A sınıfının ana ilgisini etkileyen B sınıfı olarak adlandırılan başka bir bant olarak sınıflandırır. Bu yüksek lisans tezinde çok bantlı etkin kütle teorisi de kullanılmıştır. Bu yaklaşım,AlGaAs ve GaAs'lara sahip geniş bant aralıklı yarı iletkenler için yararlıdır. Bu geniş enerji bandı aralığı izotropik basit parabolik iletim bandı için kullanılırken, değerlik bandı için 4×4 Luttinger-Kohn Hamiltonian kullanılmıştır. Son olarak, sonuçları sayısal olarak çözmek için sonlu farklar yöntemi kullanılmıştır. r Anahtar Sözcükler: k.p. Kadomtsev-Petviashvili Denklemi Kane modeli, Luttinger Kohn modeli,..