Al/Ni(II) nikotinat / p-si ve Al/Zn(II) nikotinat / p-Si Schottky fotodiyotların elektriksel özellikleri

Yarı iletken tabanlı fotodedektörlerin üretilmesi amacıyla, Ni ve Zn merkezli nikotinat (Ni(II) nikotinat ve Zn(II) nikotinat) kompleksleri kimyasal olarak sentezlendi. Sentezlenen Ni(II) ve Zn(II) nikotinatlar, ultraviyole-görünür ışık (UV-Vis) spektrometresi ve termogravimetrik analiz (TGA) teknikleri kullanılarak analiz edildi. Sentezlenen kompleks malzemeler, Al ve p-Si arasına döner kaplama tekniği ile kaplandı ve Al/Ni(II) nikotinat/p-Si ve Al/Zn(II) nikotinat/p-Si sandviç yapıları elde edildi. Üretilen cihazların fotoelektrik karakteristikleri, karanlık ve farklı ışık şiddetleri altında fotoakım-zaman (I-t) ve akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile analiz edildi. Yapılan ölçümler ışığında, MY/MYY diyotlar için önemli elektriksel parametreler olan seri direnç (Rs) , idealite faktörüc(n) ve bariyer yüksekliği (FBo) değerleri belirlendi. Belirli algılama, duyarlılık ve fotoduyarlılık gibi çeşitli parametreler, ışık şiddetine bağlı I-t analizi kullanılarak hesaplandı. Aynı zamanda farklı dalga boylarında aydınlatma koşulları altında gerçekleştirilen I-t ölçümleriyle harici kuantum verimliliği (EQE) değerleri hesaplandı. Sonuç olarak, Al/Ni (II) nikotinat/p-Si ve Al/Zn (II) nikotinat/p-Si yapıların fotodiyot tasarımı olarak iyi bir performansa sahip olduğu ve optoelektronik teknolojilerde kullanım için geliştirilebilir olduğu belirlendi.