Al/p-Si/Al ve Al/V2O5/p-Si/Al yapılarının elektriksel karakteristikleri üzerine yüzey pasivasyonunun etkileri

Bu çalışmada, altlık olarak (100) yönelimine sahip fabrikasyon olarak parlatılmış p-tipi Si yarıiletkeni kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine Al metali buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Daha sonra omik kontaklı p-Si dört parçaya bölündü. Bu parçalardan ikisi referans diyot için diğer ikisi de arayüzey tabakalı diyot için kullanıldı. Referans diyot için ayırılan parçalardan birine anodik yüzey pasivasyonu yapıldı. Daha sonra Al metali ayrılan her iki parçanın parlak yüzeyine 1x10-6 Torr basınçta buharlaştırıldı. Böylece aynı şartlar altında referans Al/p-Si/Al ve pasivasyonlu referans Al/p-Si/Al yapıları elde edildi. Kalan diğer iki parçadan birine anodik yüzey pasivasyonu yapıldı. Daha sonra her iki parçanın parlak yüzeyine Spray Pyrolysis ince film büyütme tekniği ile vanadyum oksit ince filmleri büyütüldü. Büyütülen filmlerin yapısal ve yüzeysel özellikleri incelendi. Elde edilen filmlerin kararlı hallerinin elde edilmesi için, filmler 500oC'de ısıl işleme tabi tutuldu ve tekrar yapısal ve yüzeysel özellikleri incelendi. XRD ölçümleri sonucunda, başlangıçta V5O9 yapısına sahip olan filmlerin tavlamadan sonra faz dönüşümüne uğrayarak V2O5 yapısına dönüştüğü görüldü. Yüzey özellikleri incelenen bu V2O5 filmleri üzerine aynı şartlar altında ve 1x10-6 Torr basınçta Al metali buharlaştırılarak, arayüzey tabakalı Al/V2O5/p-Si/Al ve pasivasyonlu arayüzey tabakalı Al/V2O5/p-Si/Al yapıları elde edildi. Bu yapıların oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V), kapasite-voltaj (C-V), iletkenlik- voltaj (G/w-V) ve kapasite- frekans (C-f) karakteristikleri incelendi. Anahtar Kelimeler: Anodik Pasivasyon, Schottky Diyot, Spray Pyrolysis, Vanadyum Oksit