(Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri

iii(Al-Ti10W90+PtSi)/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞABAĞLI TEMEL PARAMETRELERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif MARILGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2005ÖZETBu çalışmada, [111] doğrultusunda büyütülmüş ve özdirenci 0.7 Ω.cm olan n-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınakım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 79-360 K sıcaklıkaralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğindendolayı bir Gaussian dağılıma sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerindensıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (ΦBO) artış ve idealite faktöründe (n)ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcsklığın tersi ile değişimigrafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapmadeğerleri sırasıyla Φ bo=0.815 eV ve σs=0.09 V olarak elde edildi. Böylece,modife edilen Ln(I0/T 2) - q2 σ o /2k2T 22nin (q/kT) eğrisinde ortalama engelyüksekliği ve Richardson sabitinin değeri sırasıyla 0.82 eV ve 104.85 Acm-2K-2olarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınsıcaklığa bağlı I-V karakteristislerinden Φb'nin Gaussian dağılıma sahip olmasıTE mekanizmasıyla açıklandı.Bilim Kodu : 404. 05. 01Anahtar Kelimeler : Amorf metal film, I-V ölçümleri, Engel homojensizliği,TünellemeSayfa Adedi : 55Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL