RDL Thesis logo
Yüksek LisansAçık Erişim
TR
|EN

AlxGa1-xN yarı iletken alaşımının enerji-bant hesaplamaları

Bu tez size mi ait?

Bu kayıt toplu arşivden geldi. Sizinse profilinize bağlayın.

2007
0 görüntülenme
0 i̇ndirme
Danışman: Prof.dr. Bülent Kutlu

Özet (TR)

AlxGa1-xN YARIİLETKEN ALAŞIMININ ENERJİ-BANTHESAPLAMALARI(Yüksek Lisans Tezi)Ayten KAYAGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜŞubat 2007ÖZETBu çalışmada zinc-blende yapıdaki AlxGa1-xN alaşımının fiziksel özelliklerinin Alkonsantrasyonuna bağlı değişimi Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DFT) ile belirlenmiştir.Elektronların değiştokuş-korelasyon enerjileri ultrasoft sözde potansiyel ile GGA-PBEfonksiyoneli kullanılarak tanımlanmıştır. Yapılan ön çalışmalar hesaplamalar içinuygun kesilim enerjisinin GaN için 330 eV ve AlN için 280 eV olduğunu göstermektedir.Hesaplamalar 2x2x1 süper örgü AlxGa1-xN alaşımını için 350 eV kesilim enerjisindeyapılmıştır. Her bir konsantrasyon için enerji-bant ve durum yoğunluğu hesaplamalarıyapılmış, yasak enerji aralığının konsantrasyona bağlı değişimini karakterize edenbowing (b) parametresi doğrudan bant geçişinde b(ΓΓ) 0,1eV , dolaylı bant geçişindeb(ΓX) değeri -0,04 eV bulunmuştur. CASTEP ile elde edilen bowing parametre değerleridiğer hesaplama değerleriyle uygunluk göstermektedir.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : YFT, AlxGa1-xN, yasak enerji aralığıSayfa Adedi : 52Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Bülent KUTLU

Yazar

Ayten Kaya

Kurum

Gazi University
Gazi University
Fen Bilimleri Enstitüsü
İleri Teknolojiler Anabilim Dalı

Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır

Ayten Kaya (Yüksek Lisans Tezi). AlxGa1-xN yarı iletken alaşımının enerji-bant hesaplamaları, 2007, Gazi University.

Anahtar Kelimeler

Lisans

Tüm Hakları Saklıdır

Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.

Gazi University tezlerinden daha fazlası