Amorf silisyumun alüminyum ve altın etkileşimli kristalleştirilmesi, elektriksel ve soğurma özelliklerinin incelenmesi

Isıl buharlaştırma sistemi ile 65 nm alüminyum ve 20 nm altın kaplanmış alttaş üzerine plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sisteminde 100 nm hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a-Si:H) büyütülerek cam / Al / a-Si:H ve cam / Au / a-Si:H yapısında örnekler üretildi. Örnekler 250 ile 430 oC sıcaklıklar arasında ve 1 ile 12 saat süreleri arasında tavlanarak metal etkileşimli kristalleşme (MIC) yöntemi ile amorf silisyum kristalleştirildi. Örneklerin yapısal analizi için Raman Spektroskopisi, optik özelliklerinin analizi için optik geçirgenlik ve optik yansıtıcılık ölçümleri ve elektriksel özellikleri için dört nokta yöntemi ile özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri yapıldı. Yapısal analiz ile nanokristal silisyum yapılarının olduğu, optik geçirgenlik ve yansıtıcılık ölçümleri ile hesaplanan optik soğurma spektrumunda iki fazlı soğurmanın olduğu, elektriksel ölçümler ile mobilite değerlerinin 1 – 800 cm2/V∙s arasında olduğu gözlendi.