Atom numarası 21≤Z≤30 arasında değişen 3d grubu geçiş elementlerinin Auger elektronu yayma oranı, Kα, KLL çizgi genişlikleri ve L alt kabuk seviye genişliklerinin hesaplanması

3d gurubu geçiş elementleri kullanılarak üretilen alaşım ve bileşikler otomotiv sanayi, opto-elektronik uygulamalar, biyo-sensörler gibi pek çok kullanım alanına sahiptir. Bilim ve teknolojinin gelişmesinde geniş bir ürün yelpazesi sunan bu elementlerin dâhil olduğu malzeme yapısında oluşturacağı değişimler hakkında bilgi sahibi olabilmek için elementlerin elektronik yapısının incelenmesi gerekmektedir. Bunun sebebi, malzemeyi oluşturan atomların kimyasal bağ oluşturmasında en etkin faktörün valans (değerlik) bandı elektronik yapısının olmasıdır.3d gurubu geçiş elementlerinin valans bandı elektronik yapısının incelenmesinde K kabuğu floresans parametrelerinin ölçülmesi önemli bir yere sahiptir. Valans bandı M kabuğunda bulunan 3d gurubu geçiş elementlerinin kimyasal bağlanma olaylarında olduğu gibi elektronik yapıdaki herhangi bir değişim L kabuğunu ve buna bağlı olarak L kabuğundan K kabuğuna olan X-ışını geçişlerini etkileyecektir. Böylece X-ışını geçişlerindeki değişimler incelenerek atomların elektronik yapıları hakkında dolaylı olarak bilgi sahibi olunabilmektedir. Bu tez çalışmasında, Auger elektronu yayma oranı, Kα ve KLL çizgi genişlikleri ile L alt kabuk enerji seviyelerinin genişlikleri enerji ayrımlı X-ışını floresans yöntemi kullanılarak belirlenmiştir. Parametrelerin hesaplanması için elementler önce 59,5 keV'de γ ışınları yayan 241Am radyoaktif kaynak ile uyarılmış ve numunelerden yayınlanan X-ışınları, çözünürlüğü, 5,9 keV'de 150 eV olan Ultra-LEGe dedektörü yardımıyla sayılmıştır. Elde edilen foto-piklerin altında kalan alanlar parametrelerin hesaplamalarında kullanılmıştır. Yapılan çalışmalardan elde edilen bulgular önceki çalışmalarla karşılaştırılmıştır. Ayrıca tez kapsamında yapılan çalışmalar sonucu elde edilen parametreler, atomun karmaşık yapısının anlaşılmasında ortaya atılacak olan teorilerin geliştirilmesinde ve XRD ile XRF gibi malzeme karakterizasyonunda kullanılan cihazların üretimi ve tasarımında önemli rol oynamaktadır.