Au/n-4H-SiC (MS) schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel karekteristiklerinin frekansa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada, Au/n-4HSiC (MS) Schottky engel diyotları hazırlandı ve bunların temel elektriksel karekteristikleri oda sıcaklığında frekansa bağlı kapasitans/iletkenlik-voltaj (C-V ve G/w-V) verileri kullanılarak incelendi. Katkılanan verici atomların (ND) yoğunluğu, Fermi enerji seviyesi (EF), ve potansiyel engel (?b(C-V)) yüksekliği değerleri geniş bir frekans aralığında (0,7 kHz-1MHz) ölçülen ters gerilimdeki C-2-V eğrilerinden elde edildi. Hem C hem de G/w değerleri oldukça frekansa bağlı olup artan frekansla üstel olarak azalmaktadır. C ve G/w değerlerinde özellikle tüketim bölgesindeki bu değişiklikler, metal yarıiletken arasında yerleşmiş olan arayüzey durumlarının (Nss) varlığına atfedildi. Seri direnç (Rs)-logf grafiği, C ve G/w değerleri kullanılarak elde edildi ve artan frekansla azaldığı gözlendi. Yüksek-düşük frekans kapasitans (CHF-CLF)değerleri kullanılarak elde edilen Nss-V grafiğinde bir pik gözlendi. Özellikle yüksek frekanslardaki C-V eğrilerinde ileri voltajlarda gözlenen bükülme Rs değerine atfedildi.