Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Au/Si3N4/n-Si (MIS) YAPILARIN AKIM-VOLTAJ (I-V) KARAKTERİSTİKLERİNİN İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Fatma Zehra PÜRGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2012ÖZETBu çalışmada 160-400 ºK sıcaklık aralığında Au/Si3N4/n-Si (MIS) Schottky diyotunun akım-voltaj (I-V) karakteristiklerini araştırıldı. Termiyonik emisyon (TE) teorisi kullanılarak, doğru beslem I-V karakteristikleri MIS Schottky diyot parametrelerinin elde etmek için analiz edildi. TE mekanizmasına dayalı olarak yarı-logaritmik lnI-V karakteristikleri, sıcaklık artışıyla birlikte idealite faktöründe (n) bir düşüş ve sıfır beslem engel yüksekliğinde (?Bo) bir artış gösterdi. n'nin ve ?Bo'ın değerleri sırasıyla 9,50 ve 0,34 eV `den (160 ºK'da) 3,43 ve 0,74 eV'ye (400 ºK'de) değişti. Arayüzey durumlarının enerji dağılımının sıcaklığa bağlılığı (Nss) beslem bağımlılığı efektif engel yüksekliği (?e) hesaba katılarak doğru beslem I-V ölçümleri elde edildi. Ayrıca, ? Bo-q/2kT grafiğinden ortalama engel yüksekliği ( Bo) ve standart sapma ( ?? ) değerleri sırasıyla 0,999 eV ve 0,137 V olarak elde edildi. Böylece, modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2 ? o2/2k2T2]-q/kT grafiğinden ve Richardson sabiti (A*) değerleri sırasıyla, 0,992 eV ve 108,228 Acm-2K-2 olarak elde edildi.