Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, 1 kHz-1 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralığında Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapının dielektrik özellikleri incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) ölçümleri 5 Hz-13 MHz frekans aralığına sahip HP 4192A LF Empedans Analizörü kullanılarak yapıldı. Dielektrik parametrelerin hesaplamalarında, C-V ve G/ ? -V ölçümleri kullanılmıştır. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. Dielektrik sabiti (?') ve dielektrik kayıp (?'') artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac iletkenlik (sac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Ayrıca, deneysel sonuçlardan düşük frekans bölgesinde arayüzeysel kutuplanmanın, yüksek frekans bölgesinde ise yönelimli kutuplanmanın etkili olduğu bulunmuştur.