Al-SiCp kompozitlerin ısıl çevrim şartları altındaki davranışları

m ÖZET SiC tane katkılı Al-7%Si-0.7%Mg alaşımlı kompozitler % 10 ve 20 hacimsel oranlarda döküm yoluyla üretilmişlerdir. Döküm ingotlara 500 °C de 10:1 oranında ekstrüzyon işlemi uygulanmıştır. Ekstrüzyon uygulanan numunelerde dinamik yeniden kristalleşme nedeniyle ince taneli matris yapısı elde edilmiştir. Ekstrüzyon sonrası döküm yapıların aksine SiC tanelerinin daha çok homojen dağıldığı ekstrüze içyapılar oluşmuştur. Bu çalışmada, malzemelerin sünekliliği ve süperplastik deformasyonu yüksek sıcaklıkta çekme ve ısıl çevrim koşullarında araştırılmıştır. Matris alaşımı ve kompozitlerin içyapıları ve mekanik özellikleri incelenmiştir. Yüksek sıcaklık çekme testleri 25-430 °C sıcaklık aralığında gerçekleştirilmiştir. Ekstrüzyon işleminden sonra kompozitlerin oda sıcaklığındaki mukavemet değerleri matris alaşımına göre belirgin bir artış göstermiştir. Yüksek sıcaklık deney sonuçlan kompozitlerin 300 °C ye kadar mukavemetlerini belirli bir seviyede koruduğunu ve sıcaklık arttıkça SiC ün etkisini kaybettiğini göstermektedir. Deformasyon hızı duyarlılık üssü, m, 430 °C test sıcaklığında ve 4xl0"5- 4xl0"2 s"1 değişen deformasyon hızı aralığında A1Sİ7 alaşımı ve 10, 20 %SiCp hacimsel oranlarında katkılandırılmış kompozitler için sırasıyla 0.11, 0.13 ve 0.07 olarak bulunmuştur. Isıl çevrim deneyleri 100<-»430 °C sıcaklık döngüsünde ve 5-14 MPa ile 3-5 MPa gerilme aralıklarında sabit çekme yükü allında gerçekleştirilmiştir. Uygun yükleme ve ısıl çevrim şartlan altında kompozitler m değerindeki artışla birlikte (0.34) oldukça yüksek bir süneklilik (%80 üzerinde) sergilemişlerdir. Sabit sıcaklıkta test edilen numunelerin aksine, ısıl çevrime uğratılmış numunelerin homojen plastik deformasyon ve genele yayılmış bir boşluk oluşumu içerdikleri saptanmıştır.