Borik asidin, kimyasal püskürtme yöntemiyle büyütülen ZnS filmlerinin kristalizasyonuna etkisinin incelenmesi

Bu çalışmada, II- VI grup ikili bileşiklerinden olan ZnS:B yarı iletken filmin elde edilme özelliği incelenmiştir. ZnS:B yarı iletken filmi 500 0C alt taban sıcaklığında ZnCl2(0.05M), CS(NH2)2 (0.05M) ve %0, %1, % 3 ,%5 oranlarında H3BO3 (0,05M) püskütme çözeltileri kullanılarak Sprey Pyrolysis (SP) metodu ile cam tabanlar üzerinde üretilmiştir. Belirtilen taban sıcaklığı ve Bor katkılı oranlarda elde edilen filmlerin X-ışını kırınım desenleri incelenerek Zns:B filmlerinin hekzagonal yapıda kristalize olduğu ve polikristal yapıya sahip olduğu gözlemlenmiştir. Kristallerden oluşmuş taneciğin boyutu, elektriksel özellik olan özdirenci ve hall mobilitesi ile enerji bant aralığı değerleri belirlenmiştir. Elde edilen yarı iletken filmlerin karakterizasyonuna çeşitli oranlardaki Bor katkısının etkisi incelenmiştir.