Czochralski tekniğiyle katkısız ve sb katkılı ge tek kristallerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu

Bu çalışmada, bir adet katkısız ve iki adet Sb katkılı Ge hacimli tek kristal külçeleri Czochralski tekniğiyle büyütüldü. Büyütülen külçelerin son koni kısmından alınan numunelerin elektron iletim özellikleri araştırıldı. Sıcaklık bağımlı Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 0,4 Tesla sabit manyetik alan altında 20-350 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Geleneksel analiz yöntemleri kullanılarak, katkısız ve katkılı Ge numunelerinin mobilite ve taşıyıcı yoğunluğu analizleri yapıldı. Analizler sonucunda her üç numunede de yüksek sıcaklık bölgesinde fonon saçılma mekanizmaları (akustik ve polar), düşük sıcaklık bölgesinde ise iyonize safsızlık saçılma mekanizmasının baskın olduğu tespit edildi. Katkılama arttıkça iyonize safsızlık saçılma mekanizmasının etkisinin arttığı belirlendi. Ayrıca yasak enerji aralığı, safsızlık bileşenleri (NA ve ND) değerleri belirlendi ve elektron iletim özelliklerine etkileri tartışıldı.