Elektrokimyasal depozisyon yöntemiyle üretilen ın: CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine Se konsantrasyonun etkisinin incelenmesi

In:CdSe öncü filmleri elektrodepozisyon yöntemi kullanılarak üretilmiştir. In:CdSe öncü filmleri ITO kaplı cam alttaşlar üzerine kimyasal olarak büyütülmüştür. Ag/AgCl referans elektrot kullanılarak indiyum kalay oksit (ITO) kaplı alttaşlar üzerine -0,95 V sabit potansiyel altında elektro-depozite edilmiştir. Depozisyon çözeltileri 10 mM CdCl2, 10 mM InCl3, 200 mM LiCl ve 5 mM'lık adımlar halinde 5 mM'dan 35 mM'a kadar değişen konsantrasyonlarda H2SeO3 kaynağı kullanılarak farklı çözeltiler hazırlandı. Çözeltilerin pH değerini ayarlamak için HCl kullanılmıştır. Üretilen her bir filmin yapısal ve morfolojik çalışmaları ayrıntılı bir şekilde incelenmiştir. Üretilen In:CdSe ince filmleri SEM-EDX, XRD, UV-VIS ve Hall-Efekt ölçümleriyle karakterize edilmiştir. SEM çalışmaları In:CdSe öncü filmlerinin yüzey oluşumlarının Se konsantrasyonuna bağlı olarak değiştiğini göstermektedir. XRD analizleri In:CdSe ince filmlerinin tetragonal kristal yapıdaki CdIn2Se4 fazına sahip olduğunu göstermektedir. Yarıiletken ince filmlerin yasak enerji bant aralıkları UV-VIS absorbans spektrumları ve Tauc denklemi kullanılarak hesaplanıldı. Filmlerin yasak enerji bant aralıkları 1,98 eV ile 2,23 eV aralığında değişmektedir. Hall-Efekt ölçümleri tüm kaplamaların n-tipi yarıiletken olduğunu göstermiştir. Donör yoğunluğu -1,3x1017 ile -4,09x1018 1/cm3 arasında değişmektedir. Çözeltideki Se konsantrasyonunun artmasına bağlı olarak In:CdSe filmlerinin iletkenliklerinin, 73,2 (Ωcm)-1'den 24,2 (Ωcm)-1'ye düştüğü görülmektedir. Filmlerdeki mobilitenin, Se atomik yüzdesinin artması ile orantılı olduğu görülmektedir. Mobilitedeki artışın nedeni, büyük olasılıkla Se yüzdesine bağlı olarak donör konsantrasyonundaki azalmadan kaynaklanmaktadır.