Elektronik transport mekanizmalarının pulslu ölçüm teknikleri ile incelenmesi

AlGaN/AlN/GaN ve AlInN/AlN/GaN heteroeklem örnekler Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) tekniğiyle, GaInNAs/GaAs, GaN/AlN/InN ve InGaN/GaN örnekler Molecular Beam Epitaxy (MBE) tekniğiyle büyütülen örneklerde pulslu akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı.Pulslu akım-gerilim ölçümleri 1,7-300 K aralığında 50 K adımlarla yapıldı. Bu ölçümlerde 200 ns puls genişliğinde 0-200 V aralığında pulslu voltajlar uygulandı. Elektronların elektrik alan altındaki sürüklenme hızı, mobilitesi ve elektron başına güç kayıpları elde edildi. AlGaN/AlN/GaN ve AlInN/AlN/GaN heteroeklem örneklerde güç kaybı mekanizmaları mobilitenin karşılaştırılması yöntemi kullanılarak elde edildi. Elektron başına güç kaybının sıcaklıkla değişimi kuramsal modeller ile karşılaştırıldı. Yüksek elektron sıcaklıklarında enerji durulmasının optik fonon emisyonu ile gerçekleştiği sonucuna varıldı.Anahtar Kelimeler: Heteroeklem, kuantum kuyu, yüksek elektrik alan iletim mekanizmaları, sıcak elektronlar, güç kaybı