Dört bileşenli fonksiyonel yarıiletken infrared fotodedektörlerinin üretilmesi ve elektronik özelliklerinin belirlenmesi

Bu tez çalışmasında, Cu2CoSnS4, Cu2NiSnS4 ve Ti1-xO2CdxO (x = 0.0,0.01,0.05,0.10) malzemeleri sırasıyla hidrotermal ve sol jel yöntemleriyle sentezlenmiştir. Cd katkılı TiO2 filmler, cam substratlar üzerinde, spin kaplama yöntemi ile büyütülmüştür. Numunelerin yapısal özellikleri, XRD, SEM ve UV-Vis teknikleri kullanılarak analiz edilmiştir. Al/p-Si/Cu2CoSnS4/Al, Al/p-Si/Cu2NiSnS4/Al ve Al/n-Si/Ti1-xO2CdxO/Al diyotlarının elektriksel özellikleri akım-voltaj, kapasite-voltaj ve akım-zaman elektriksel karakterizasyon teknikleri ile analiz edilmiştir. Güneş ve IR ışıkları altındaki diyotların fotoakımı, karanlık akımdan daha yüksektir. Diyotların ışığa duyarlılığı ve fototepki özellikleri analiz edilmiştir. TiO2 esaslı diyotların fototepkileri Cd ilavesiyle değiştirildi. Güneş ışığı altında TiO2 ve %10 Cd katkılı diyotun ışığa duyarlılık değerleri sırasıyla 0,103.10-3 A/W ve 0,139.10-2 A/W olarak bulunmuştur. Elde edilen sonuçlar hazırlanan fotodedektörlerin optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir.