Fotodetektörün fiziksel özelliklerinin incelenmesi için iyonizasyon tipli kızılötesi görüntü çevirici sistemlerin uygulanması

Kızılötesi (KÖ) fotodetektör kararsızlıkları KÖ görüntü çevirici sisteminde geniş bir gaz basıncı ( p= 28 ? 342 Torr) , elektrotlar arası mesafe (d1 = 50 µm d2 = 50 ? 320 µm) ve yarıiletken çapları (D= 12-15 mm) için deneysel olarak araştırıldı. GaAs yarıiletkenli gaz boşalma sisteminin akım voltaj karakteristikleri (AVK) incelendi. Kararlı bir voltajla beslendiğinde, farklı osilasyon genlikli akım kararsızlıkları meydana gelir. K.Ö görüntü çeviricideki kararsızlıkların deneysel şartlara bağlı olarak detektör tarafından oluşturulduğu açıkça gösterilmiştir. AVK' nın N tipli karasızlıkları tespit edildi.EL2 olarak adlandırılan derin elektronik seviyelerin varlığı, materyalin N-tipli AVK'sına ve sonuç olarak GaAs detektöre yüksek voltaj uygulandığında akım osilasyonlarına yol açtığı tespit edilmiştir. Çift boşalma aralığından dolayı, akım- voltaj ve akım- zaman grafiklerinde modülasyon gözlendi. Ayrıca büyük elektrotlar arası mesafeler için histerezis eğrileri elde edildi.