Direnç referanslı frekansı kilitlenmiş entegre CMOS osilatör

Bu tezin amacı, sıcaklık ve kaynak gerilimlerindeki değişimlere karşı yüksek tolerans gösteren, ayrıca düşük güç tüketimine sahip CMOS teknolojisiyle tasarlanmış bir osilatörü tanıtmaktır. Ayrıca devrenin operasyonlarını gerçekleştirebilmesi için gerekli olan Bant-aralığı gerilim kaynağı ve beta çarpanı akım referansı devreleri de tanıtılmıştır. Bu tezde tanıtılan osilatör XFAB XH018, 0.18 μm CMOS teknolojisi ile tasarlanmış ve karakterize edilmiştir. Osilatör devresi oda sıcakığında ve ideal koşullarda 545.5 kHz frekansında kare dalga üretmektedir. Osilatörün cıkışı -40 C 85 C sıcaklıklarında ve yüzde +- 5 kaynak gerilimi değişimlerine karşı sabit bir frekans üretmektedir. Devre, istenen özellikleri yüzde +- 0.65'den fazla frekans değişimi göstermeyerek ve 5 μW'dan daha düşük güç tüketerek karşılamaktadır. Tasarım ayrıca tüm teknoloji köşelerinde ve Monte Carlo simulasyonunda 3 sigma dağılımıyla doğrulanmıştır.