GaInNAs/GaAs yapılarında tavlama süresinin elektron sıcaklığına etkisi

Bu çalışmada, radyo frekanslı plazma kaynağı ile donatılmış katı kaynaklı Moleculer beam epitaxy (MBE) tekniği ile büyütülmüş, farklı sürelerde tavlanmış Ga0,68In0,32N0,017As0,983/GaAs kuantum kuyusu (QW) yapılarında magnetotransport ölçümleri yapıldı. GaInNAs/GaAs yapılarında tavlama süresinin elektron sıcaklığı, güç kaybı ve enerji durulma zamanları üzerindeki etkisi sıcaklığın ve elektrik alanın fonksiyonu olarak ölçülen Shubnikov-de Haas (SdH) osilasyonlarının bağıl genliklerinin karşılaştırılması yöntemiyle incelendi. Deneyler karanlık ortamda 1,8-40 K sıcaklık aralığında ve 11 T'ya kadar manyetik alan altında, 0,165-5,276 kV/m elektrik alan uygulanarak gerçekleştirildi. Düşük sıcaklık bölgesinde elde edilen deneysel güç kaybı verileriyle teorik güç kaybı modelleri karşılaştırılarak sıcak elektronların soğuma mekanizmaları incelendi. Sıcak elektronların kristal örgüyle perdelenmemiş piezoelektrik ve deformasyon potansiyeli etkileşmesi sonucunda soğudukları gözlemlendi. Ayrıca teorik güç kaybı hesaplamalarında bir uyum parametresi olarak seçilen piezoelektrik gerginlik sabiti (e14) hesaplandı.