1.704
Arşivlenen Tez
0
DOI Atanmış
0%
DOI Oranı
Anabilim Dalı
Yeni geliştirilmiş deneysel formuller kullanılarak 14-15 MeV'lik nötron reaksiyonlarında çiftlenim etkisinin incelenmesi
Son yıllarda özellikle nötronlarla oluşturulan reaksiyonlar için eşik enerjisicivarında daha hassas ve daha fazla sayıda yeni deneysel tesir kesiti ölçümleriyapılmaktadır. 14-15 MeV'lik nötronlarla oluşturulan bu çekirdek reaksiyontesir kesitleri ve parçacık yayınlanma spektrum ölçümleri nükleer kuvvetler ilenükleer yapının anlaşılması ve nükleer modellerin yeniden geliştirilmesibakımından önemlidir. Bu yeni deneysel değerler kullanılarak Tel vearkadaşları tarafından çekirdek kabuk modeli ve asimetri parametresis = (N - Z) /A 'de göz önüne alınarak, yeni bir deneysel (n,p) reaksiyon tesir112-124kesiti formülü geliştirilmiştir. Betak ve arkadaşları, Sn ince hedef içinyapmış oldukları en son deneylerinde bu formülün tek-A'lı tesir kesitlerinihesaplamalarda uyumlu olduğunu gözlemişlerdir. Çiftlenim etkisini de gözönüne alan bu yeni deneysel formül (n,2n) ve (n,α) reaksiyonlarına modifiyeedilerek Tel ve ark. tarafından literatüre uygun yeni katsayılı formüller eldeedilmiştir.Bu çalışmada, Tel ve arkadaşlarının geliştirmiş olduğu tesir kesiti için bu yenideneysel (n,p), (n,2n), (n,α) ve (n,t) formüller ve yeni deneysel sonuçlar gözönüne alınarak, çekirdek kabuk modelinin tek-çift etkisi ve temelnükleon-nükleon etkileşmesi tartışılmıştır.
4x4 k.p yöntemiyle süperörgü sistemlerinin valans band hesaplamaları
Evaluating the band structure of semiconductors is one of the most important for building quantum lasers, MOS-FETs, bipolar transistors, diodes, semiconductor sensors. This thesis studies generalize k.p method to Compute the band structure of some materials such as zincblende. We calculated the band structure of AlGaAs and GaAs compounds, using both 4×4 Kane's model and Luttinger-Kohn's model approximations. The Kane's model provides incorrect effective mass for heavy hole band, neglected distance between bands and it considered only four bands. However, this model developed basis functions which are useful for Luttinger Kohn model. Luttinger Kohn model correct all Kane's model errors and classified bands as main interest bands named class A and some other bands called class B which influence the main interest bands (class A). In this master thesis the multi-band effective-mass theory also is used. This approximation is helpful for wide-band-gap semiconductors such has GaAs. This wide energy band gap, isotropic simple parabolic is used for conduction band while 4×4 Luttinger-Kohn Hamiltonian is used for valence band. Finally, finite-difference method is used to solve numerically results. Keywords: k.p method, Kane's Model, Luttinger-Kohn Model,
Nükleer fiziğin tıpta uygulaması – pozitron emisyon tomografi
Bu çalışmada nükleer tıp alanında kullanılan medikal görüntüleme yöntemlerinden pozitron emisyon tomografi (PET) sisteminin avantajlarının ve dezavantajlarının araştırılması amaçlanmıştır. PET sisteminin tasarımı, dedektör tipleri ve kristal çeşitleri incelenmiştir. Ayrıca radyofarmasötiklerin PET sisteminden elde edilen görüntüye etkisi ve PET sisteminin görüntü elde etmesinde anhilasyon fotonlarının etkisi incelenmiştir. Elde edilen bilgiler ile PET sisteminin performansını pozitif ya da negatif yönde etkileyen özellikler araştırılmıştır. Radyofarmasötik kullanarak görüntü elde eden PET ve tek foton emisyonlu bilgisayarlı tomografi (SPECT) sistemlerinin arasındaki temel farklar araştırılıp PET sisteminin özellikle kanserli hücre tespiti için kullanılma nedeni araştırılmıştır. Pozitron emisyon tomografi–bilgisayarlı tomografi (PET-BT) hibrit sistemindeki BT sistemi ile elde edilen anatomik görüntü ve PET sistemi ile elde edilen fonksiyonel görüntünün birleşimi ile elde edilen hibrit sistem görüntüsünün teşhis konusunda etkisi incelenmiştir. Türkiye'deki hastanelerde elde edilmiş tarama görüntüleri ve raporları incelenmiş, ayrıca tarama sırasında kullanılan radyofarmasötiklerin yan etkileri araştırılmıştır. Ülkelerde bulunan PET tarayıcı sayısı, yapılan tarama sayısı ve bu istatistiklere bağlı olarak Türkiye'nin dünyadaki yeri gözlemlenmiştir.
1,8-diaminooktan molekülünün titreşim spektrumunun teorik olarak incelenmesi
iv1,8-DİAMİNOOKTAN MOLEKÜLÜNÜN TİTREŞİMSPEKTRUMUNUN TEORİK OLARAK İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Nurcan ZAFERGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜEylül 2006ÖZETBu çalışmada, 1,8-diaminooktan molekülü için Gaussian 98 W programıkullanılarak en kararlı olduğu durumdaki geometrik parametreleri vetitreşim frekansları teorik olararak hesaplandı. Bu titreşim frekanslarınınişaretlemeleri yapılarak frekanslara ait Infrared ve Raman şiddetleribelirlendi. 1,8-diaminooktan molekülüne ait korelasyon grafikleri çizildi. Bununiçin;teorik olarak hesaplanan frekanslarla deneysel olarak hesaplananfrekanslar birbirleriyle karşılaştırıldı.Bilim Kodu :202.1.008Anahtar Kelimeler :1,8-diaminooktan, İnfrared, Raman, BLYP, B3LYP, HFSayfa Numarası :60Tez Yöneticisi :Yrd. Doç. Dr. Akif ÖZBAY
Homojen olmayan vücut yapıları için, üç boyutlu tedavi planlama algoritmalarının doğruluklarının dozimetrik olarak karşılaştırılması
Bu çalışmada ESOGÜ Radyasyon Onkolojisi A.D.'nda bulunan Elekta markaPrecise model lineer hızlandırıcı cihazının 6 MV ve 18 MV x-ışını enerjilerikullanılarak, randofantom ile CMS marka XiO model 4.2.2 versiyon tedaviplanlama sistemi içerisinde bulunan ölçüm-tabanlı ve model-tabanlıalgoritmaların homojen olmayan vücut yapıları için doğruluklarıkarşılaştırılmıştır. Randofantomun bilgisayarlı tomografi (BT) görüntüleri eldeedilip, BT'den gelen enine kesitlerde üç boyutlu görüntü oluşturulacak şekildekonturlama yapılmıştır. Homojen olmayan tedavi alanları, sağ akciğeri vemediasteni içine alacak şekilde 15x15 cm2 ön -arka alanlardan ve kranium da10x10 cm2 sağ-sol yan alanlardan izosentrik olarak TPS'de hesaplatılansürelerden ışınlanmıştır. Film dozimetresi yapılarak her iki algoritmanınhomojen olmayan alanlarda doğrulukları değerlendirilmiştir. Model-tabanlıalgoritma akciğer inhomojenitesi için film dozimetresi ile ±%2 içinde,ölçüm-tabanlı algoritma ±%5 içinde uyumludur. Kranium inhomojenitesi içinher iki algoritma film dozimetresi sonuçları ile ±%2 içinde uyumludur.
NaCI ve KCI'ün OSL bozunma eğrilerinin karşılaştırılması
NaCl ve KCl'ün OSL BOZUNMA EĞR LER N NKARŞILAŞTIRILMASI(Yüksek Lisans Tezi)Serap ÇATLIGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜŞubat 2006ÖZETNa- ve K- zengini feldspatlar radyasyon doz tayinlerinde önemli örneklerdir. Buçalışmanın amacı, NaCl ve KCl'ün IRSL karakteristiklerini karşılaştırmak vebelirlemektir. Son yıllarda yapılan radyasyon dozimetri çalışmaları büyükönem kazanmıştır. Bir materyalin dozimetri olarak kullanılması büyük ölçüdesıcaklığa ve doza bağlı değişen IRSL'sine bağlıdır. Bu çalışmada, NaCl veKCl'ün IRSL karakteristikleri, laboratuvar radyasyon dozuna ve sıcaklığabağlı olarak incelendi. Dozimetri çalışmaları için en uygun olan örneğibelirlemek üzere örneklerin lüminesans özellikleri birbirleri ile karşılaştırıldı.Bilim Kodu : 202.1.108Anahtar Kelimeler : NaCl, KCl, IRSL, sıcaklığa bağlılık, doza bağlılıkSayfa Adeti : 36Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Güneş TANIR
2,5 di metil anilin ile halojenli komplekslerin infrared spektrumu ile incelenmesi
2,5 Dİ METiL ANİLİN İLE HALOJENLİ KOMPLEKSLERİNİNFRARED SPEKTRUMU İLE İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Ahmet Refik DÖNERGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜŞubat 2006ÖZETBu çalışmada MX2L [ M=Cd, Co,Cu, Fe, Zn ; X=Cl; L=2,5 dimetil anilin(C8H11N)] genel formülü ile verilen metal halojen bileşikleri kimyasal yollardanilk olarak elde edildi. Elde edilen bileşiklerin infrared spektrumları 4000-400cm-1 bölgesinde kaydedildi. Bileşiklerde gözlenen ligand'ın titreşim frekanslarıile serbest ligand molekülü karşılaştırıldı. Bileşiklerin ligand frekanslarındabileşik oluşumu nedeniyle serbest molekülüne göre kaymalar gözlendi.Bilim kodu : 202.1.008Anahtar kelimeler : 2,5 dimetil anilin ,metal halojenür bileşikleriIR spektrumuSayfa Adedi : 38Tez Yöneticisi : Yrd. Doç Dr. Semran SAĞLAM
Saf ve çinko katkılı alüminyum numunelerinin X-ışını kırınımı yöntemi ile incelenmesi
Bu çalışmada %99,99 saflıktaki Alüminyum ve bu Alüminyuma 100ppm, 500ppm,1000ppm, 2000ppm, 3000ppm oranında Zn katkısının etkisi X-Işınları kırınım yöntemiile incelendi. Saf ve çinko katkılı numunelere 600 derecede bir saat süre ile ısıl işlemuygulandı. Numunelerin plaka ve toz halinde x-ışınları kırınım desenleri alındı. X-Işınıkırınım desenlerinde pik şiddetlerinin incelenmesiyle çinkonun giderek artan oranlarlakatkılanmasının, hem ısıl işlem görmemiş, hem ısıl işlem görmüş Al numunelerindeoksitlenme oranını azalttığı tespit edildi. Yüzey işlemi ile Al Plaka numunesinin oksittabakası temizlendi ve X-ışınları kırınım yöntemi ile incelenerek Al piklerininşiddetlerinde artış görüldü. Isıl işlem görmüş ve görmemiş numunelerin metalmikroskobu ile yüzey fotoğrafları çekildi ve ısıl işlemin numunelerin yüzeyinde yenikusurlar oluşturduğu tespit edildi. Sıcaklığın Al numunelerinin kristal yapısına etkisinibelirlemek için X-ışınları kırınım yöntemi ile alınan desenlerden a örgü parametresihesaplandı. Sıcaklığa bağlı olarak a örgü parametresinin lineer artışı gözlendi.Anahtar Kelimeler : X-Işınları Kırınımı, Alüminyum, ppm, çinko, Isıl şlem
Şekil hatırlamalı Ni-Ti alaşımında difüzyonsuz faz dönüşümünün termodinamik özellikleri
ŞEKİL HATIRLAMALI Ni-Ti ALAŞIMINDA DİFÜZYONSUZ FAZDÖNÜŞÜMÜNÜN TERMODİNAMİK ÖZELLİKLERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif ÇAVDARGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada, farklı sıcaklıklarda tavlanmış (500, 700, 900ºC) NiTialaşımı, farklı ortamlarda soğutularak (azot, su, hava) martensitedönüşüm özellikleri diferansiyel tarama kalorimetrisi kullanılarakölçülmüştür. NiTi şekil hatırlamalı alaşımının aktivasyon enerjileriKissinger, Takhor ve Augis-Bennett metotları kullanılarakhesaplanmıştır. Oda sıcaklığında malzemenin kristal yapısı X-ışınıdifraksiyon deseni kullanılarak belirlenmiştır.Bilim Kodu : 202.1.075Anahtar Kelimeler : NiTi, Martensite, Austenite, Aktivasyon enerjisi,EntalpiSayfa Adedi : 81Tez Yöneticisi : Prof. Dr. İrfan AKGÜN
Atom metal yüzey etkileşmesi
iiiATOM METAL YÜZEY ETKİLEŞMESİ(Doktora Tezi)Can Doğan VURDUGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada, gaz-fazlı H (veya D) atomu ile Cu(111) yüzeyi üzerine tutunmuşD (veya H) atomlarının reaksiyon dinamiği, bir yarı-klasik moleküler dinamikçalışması ile yapıldı. 30 K ve 94 K yüzey sıcaklıklarında H(D) --> D(H) +Cu(111) sisteminin simülasyonunu yapmak için; yüzeyde tutunan D (veya H)atomları 18%, 28% ve 50% kaplama oluşturacak biçimde Cu(111) yüzeyiüzerinde gelişigüzel yerleştirildi. Bu sistemin etkileşmesi, bir LEPS fonksiyonuile hesaplandı. LEPS parametreleri, bir ve iki hidrojen atomunun Cu(111)yüzeyi üzerinde farklı yerleşimleri için DFT ve GGA metodu ile hesaplanmışenerji değerleri kullanılarak bulundu. Bu sıcaklıklarda ve kaplamaoranlarında, sıcak-atom ?SA? veya Eley-Rideal ?ER? mekanizması yolu ileoluşan H2, D2, ve HD ürünlerine ait; reaksiyon süresi, dönme, titreşim, toplamve öteleme enerji dağılımları için olasılıklar hesaplandı. Ayrıca, yüzeydetuzaklanma, gelen atomun esnek olmayan saçılması ve yüzeyde tutunan atomunveya gelen atomun tabakanın içine girmesi gibi çeşitli oluşumlar analiz edildi.Bu sistemin izotopik yer değiştirme ve yüzey sıcaklığına bağlılığı incelendi vesıcak-atom yolunun ürün oluşumundaki önemli katkıları gösterildi.Bilim Kodu : 202Anahtar Kelimeler : Yüzeye tutunma, Moleküler Dinamik, PEYSayfa Adedi : 85Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK
Sodyum klorürün radrasyon dozimetri olarak mamografide kullanılması
SODYUM KLORÜRÜN RADYASYON DOZ METR OLARAKMAMOGRAF DE KULLANILMASI(Yüksek Lisans Tezi)Bekir Sinan DEM RGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜŞubat 2006ÖZETDozimetri, radyasyon emisyonunun bir sonucu olarak insan dokularındakiatomların uyarılması ve iyonizasyonuyla absorbe edilen radyasyon enerjisimiktarının ölçülmesidir. Bu çalışmada, IRSL tekniği kullanılarak bir NaClörneğinin mamografi işlemlerinde dozimetri olarak kullanılabilirliğiincelenmiştir. Elde edilen sonuçlar en ideal doğruya fit edilerek doğrunundenklemi bulunmuştur. Bu denklem kullanılarak NaCl örneğine verilenışınlama süreleri karşılaştırılmıştır.Bilim Kodu : 202Anahtar Kelimeler : Optik Uyarmalı Lüminesans (OSL), SodyumKlorür (NaCl), Mamografi, DozimetriSayfa Adedi : 32Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Güneş TANIR
LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
iiiLEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Zn KATKILI InAs YARI LETKEN NDESICAKLIK BAĞIMLI MANYET K VE ELEKTRON LET MÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)lker KARAGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde iletimözellikleri incelendi. Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 20-345 K sıcaklık ve 0-1,5T manyetik alan aralığında yapıldı. Sıcaklığa bağlı özdirenç ölçümlerinden Znbağlanma enerjisi ve InAs yarıiletkeninin yasak enerji aralığı hesaplandı.ncelen numune düşük ve yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlikgösterirken orta sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç teorisi ile analiz edildi.Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri âNicel MobiliteSpektrum Analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edilerek; bireysel taşıyıcılarınelektron ve manyetik iletime etkileri araştırıldı. Ölçümler ve analizlersonucunda, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeliönerildi.Bilim Kodu : 202.1.075Anahtar Kelimeler : InAs, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi. ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 81Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP
Platin ve iridyum elementlerinin bazı termo-elastik özelliklerinin basınç ve sıcaklığa bağlı olarak moleküler dinamik yöntemle incelenmesi
PLAT N VE R DYUM ELEMENTLER N N BAZI TERMO - ELAST KÖZELL KLER N N BASINÇ VE SICAKLIĞA BAĞLI OLARAKMOLEKÜLER D NAM K YÖNTEMLE NCELENMES(Yüksek Lisans Tezi)Gülen FERAHGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada, Platin ve ridyum elementlerinin bazı Termo-Elastik özellikleriGömülmüş Atom (Embedded Atom Method, EAM) Metodu kullanılarakhesaplanmıştır. Her iki elementin kohesif enerjileri, ergime sıcaklıkları, bulkmodülleri, ısı kapasiteleri, lineer genleşme katsayıları ve elastik sabitleri farklıbasınç ve sıcaklıklarda hesaplanarak mevcut deneysel sonuçlarlakıyaslanmıştır. Kullandığımız potansiyel enerji fonksiyonunun, Platin veridyumun bu özelliklerini oldukça güzel bir şekilde tahmin ettiği görülmüştür.Bilim Kodu : 202.1.073Anahtar Kelimeler : Moleküler Dinamik, Platin, ridyum, Gömülmüş AtomMetoduSayfa Adedi : 100Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Kemal ÇOLAKOĞLU
Bazı arkeolojik ve jeolojik numunelerin infrared uyarmalı lüminesans karakteristiklerinin sıcaklık bağımlılığı
BAZI ARKEOLOJİK VE JEOLOJİK NUMUNELERİN İNFRAREDUYARMALI LÜMİNESANS KARAKTERİSTİKLERİNİNSICAKLIK BAĞIMLILIĞI(Yüksek Lisans Tezi)İbrahim Cem ARSLANGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2006ÖZETOSL bozunma eğrileri tam bir exponansiyel değildir ve bu nedenle basittanımlarla açıklanamazlar. Bozunma eğrileri, numunenin soğurduğu radyasyondozuna, numuneyi uyaran kaynağın şiddetine ve numune sıcaklığına bağlıolarak değişiklikler gösterir. Bu tezin hazırlanması için Marmara denizindençıkarılmış sediment örnekleri, Dağyaka / Ankara bölgesinden alınmış sedimentörnekleri ve Büyükardıç / Erzurum bölgesinden alınmış arkeoloji örneğiüzerinde çalışılmıştır. Bu arkeolojik ve jeolojik numunelerin infrared uyarımlılüminesans eğrilerinin sıcaklık bağımlılığı incelenmiştir. Bunun içinnumunelerden alınan IRSL sayımlarına bağlı bozunma eğrileri çizilmiş, bueğriler lüminesans mekanizmasının araştırılması amacı ile önerdiğimizY=A+Blog(t) denklemine fit edilmiş ve elde edilen sonuçların uygulanabilirliğiaraştırılmıştır. Ayrıca bozunma eğrileri literatürde kullanılan Y=A/(1+Bt)Pdenklemine de fit edilerek P parametresi belirlenmiştir. Son olarak önerilenY=A/(1+Bt)P denkleminin katsayıları hesaplanarak P parametresinin sıcaklıkbağımlılığı araştırılmıştır.
Development of thin film GaAs p-i-n solar cells peeled-off from Si substrates
III-V group semiconductor solar cells are the most efficient photovoltaic technologies. In particular, III-V group based GaAs solar cells provide excellent optical properties, good electronic speed, and higher radiation resistance over conventional Si solar cells. However, the high prices of single crystal III-V based wafers restrict the use of GaAs in photovoltaic applications. As a result, cost-cutting approaches for III-V solar cells have piqued the interest of many researchers. The epitaxial lift-off (ELO) method has been receiving much interest for producing flexible, lightweight, and high-efficient solar cells. The method also allows for the reuse of pricey III-V substrates for subsequent growths, reducing overall cost. Heteroepitaxial growth of III-V semiconductors on low-cost Si substrates, on the other hand, is another method for reducing the cost of GaAs solar cells. Using Si substrates also allows for large-scale production of III-V solar cells. In this thesis, GaAs solar cells were grown on Si substrates using a molecular beam epitaxy (MBE) system. GaAs solar cells were designed as p-i-n type junctions to improve charge extraction. The effects of various types of dislocation filter approaches were compared to achieve the best crystal quality. Before and after the ELO process, optical and structural characterizations of solar cell structures were performed. The energy conversion and quantum efficiency values of the solar cell were measured. Thin-film GaAs p-i-n solar cells peeled off from Si substrates have achieved 8.81% energy conversion efficiency under the 1.5AMG spectrum.
Metal-yalıtkan-metal ve metal-yalıtkan-yarıiletken yapılar için ince yalıtkan tabakaların üretilmesi, karakterizasyonu ve uygulaması
Yüksek frekans elektroniği ve GHz-THz bölgede enerji çevrimi uygulamalarında arkma (tünelleme) temelli aygıtlar önem arz eder. Arkma olasılığının yüksek olması için bu aygıtlardaki yalıtkan tabakaların kalınlıkları 10 nm altında üretilmek durumundadır; bu da yaygın kullanımlarına engel teşkil eden çeşitli sorunları beraberinde getirir. Çalışmada bu engellerin neler oldukları ve nasıl ölçülebilecekleri üzerine bilgi verilmiştir. Bu aygıtların işleyişinin anlaşılması için bir benzetim (simulasyon) hazırlanmıştır. Malzemenin özündeki ve aygıt yapısı içerisinde bulunmasından kaynaklı sorunlar açıklanmış; üretim kusurları ve aygıt davranışı incelenmiş; başarılı aygıtlardan GHz bölgede enerji çevrimi uygulaması hazırlanmıştır. Ark diyotun yaygın kullanımı için üretim sorunlarına çözüm önerileri belirtilirken, farklı bir aygıt düşüncesi de sunulmuştur.
Doğal malzemeler kullanarak üç eksenli porselenlerin hazırlanması ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Bu çalışmada doğal mineraller kullanılarak üç eksenli elektriksel porselen hazırlanmış olup, porselen yapının faz gelişimini artırmak için üleksit minerali farklı konsantrasyonlarda katkılanmış olup katkı sonucu kristal yapıdaki değişimler incelenmiş ve bu değişimlerin farklı sinterleme sıcaklıkların malzemenin dielektrik özelliklerine ne gibi katkıları olduğu incelenmiştir. Hazırlanan numunelerin yapıları XRD, SEM ve EDX spektroskopi yöntemleri ile karakterizasyonu yapılmış olup, XRD kırınım analizinden alınan veriler Rietvield Refinement yöntemi kullanılarak faz geçişleri incelenmiştir. Farklı sinterleme sıcaklıklarında hazırlanan numuneler empedans spektroskopi yöntemi ile analiz edilip, kristalleşmenin dielektrik kayıplara, AC iletkenliğe, dielektrik sabitine ve kapasitif özelliklere etkisi araştırılmıştır.
High-operating-temperature (HOT) infrared detectors based on antimonide heterostructures
In this study, InAs/InAsSb based p-i-n and nBn detector structures were designed for mid-infrared region detection. The designed detector structures were grown on GaSb substrates by molecular beam epitaxy technique. By changing parameters such as growth rate, flux modulation and substrate vendor, crystal quality of the grown structures were monitored. The dark current and spectral responses of the detectors were evaluated by fabricating single pixel devices. In addition, recombination mechanisms and localized states in the absorber and barrier layers were investigated using the photoluminescence technique and the results of the experimental studies were presented. With the radiometric approach, parameters affecting system performance such as well fill, dynamic range and bit losses were investigated for an InAs/InAsSb based imager at different scene temperatures. Detector parameters such as quantum efficiency, noise equivalent temperature differences and pixel non-uniformity were considered in the analysis.
Sekiz boyutlu ısıng modelin (4)8-4 örgüsünde Creutz cellular automaton ile incelenmesi
Bu çalışmada, sekiz boyutlu Ising model Creutz "cellular automaton" ile simüle edildi. Simülasyonlar doğrusal boyutu L=4 olan periyodik sınır şartlı Û basit hiperkübik örgülerde ve sonsuz örgü kritik sıcaklığı yakınında dört bitli demonlar kullanarak Creutz "cellular automaton"da incelendi. Özısı, düzen parametresi, manyetik alınganlığın hesaplanan değerleri cellular automatonun gelişimi boyunca zaman adımları sayısı (60 000, 120 000 ve 180 000) ve örgüler üzerindendir. Özısı ve manyetik alınganlık için kritik sıcaklık değerleri sırasıyla Tc =14,7904 ±0,0004; Tc= 14,7905 ±0,0009; Tc =14,7904 ±0,0004 ve Tc =14,8240 ±0,0028; Tc =14,8252 ±0,0011; Tc =14,8253 ±0,0005 olarak elde edildi. Manyetik alınganlığına ait kritik sıcaklık değerleri kullanılarak, manyetik alınganlık ve düzen parametresi için kritik üsler hesaplandı. Bu değerler, renormalizasyon grup tahmini kritik üs değerleri (p = P' = 0,5 ; y = y' = 1) ve literatürdeki diğer teorik değerleri (p = p' = 0,48; y = y' = l,05) ile uyumludur.IV Bilim Kodu : 228 Anahtar Kelimeler : Ising Model, Creutz Cellular Automaton, Kritik Üs Sayfa Adedi : 59 Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Abdullah GÜNEN
STM/AFM ile yüzey karakterizasyonu
STM/AFM İLE YÜZEY KARAKTERÎZASYONU (Yüksek Lisans Tezi) Demet USANMAZ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Haziran 2005 ÖZET Bu çalışmada, Si ye AlGaAs yüzeylerinin STM/AFM yardımıyla görüntülendi. Si(lll) yüzeyinin 7x7' lik bir yeniden yapılanmaya sahip olduğu bulundu. MBE laboratuarında büyütülen AlGaAs yarıiletkeninin AFM sonuçlarma bakıldı. İlk olarak numune NH4OH+H2O2+H2O (1:1:50) kimyasal çözeltisinde bekletildi. Daha sonra HF+H202+H20 (1:1:30) kimyasal çözeltisinde farklı zaman aralıklarında bekletildi. AlGaAs yarıiletkenin AFM görüntüleri ve yüzey pürüzlülük sonuçları elde edildi. Bilim Kodu :223.23 Anahtar Kelimeler : STM, AFM, AlGaAs, Si, yarıiletken Sayfa Adedi : 72 Tez Yöneticisi : Doç.Dr.Mehmet Çakmak
Proton sinkrotronu ve müon bölgesi uygulamaları
Ill PROTON SINKROTRONU VE MÜON BÖLGESİ UYGULAMALARI (Yüksek Lisans Tezi) Abdullatif ÇALIŞKAN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Haziran 2005 ÖZET Hızlandırıcı teknolojisinde uygulamalar açısından önemli bir paya sahip olan proton sinkrotronları, belirli bir enerji ve yoğunluk değerinde proton demeti elde etmek amacıyla kullanılmaktadır. Dairesel hızlandırıcıdan alman proton demeti kullanılarak müon ve nötron demetleri üretilir. Nötronlar kullanılarak oluşturulacak bir nötron bölgesi şüphesiz pek çok araştırma ve uygulama alanına sahip olacaktır. Bu çalışmanın konusunu oluşturan müon bölgesi ise yaşam bilimlerinden temel parçacık fiziğine, malzeme biliminden atom fiziğine, biyoloji uygulamalarından enerji üretimine kadar pek çok alanda kullanım alanına sahiptir. Yeni bir manyetik rezonans tekniği olan uSR yöntemi ve nükleer enerji üretimine yeni bir boyut kazandıran uCF önerisi, müon bölgesinin önemli uygulamalarını oluşturmaktadır. Bu çalışmada, her türlü malzeme için kullanılabilen uSR tekniğinin diğer manyetik rezonans tekniklerine olan üstünlüğü gösterilmiş olup uCF ile enerji üretimindeki son gelişmeler irdelenmiştir. Ayrıca düşük enerjili müonlara dayalı atom fiziği ve temel parçacık fiziği alanlarındaki uygulamalar da incelenmiştir. Bilim Kodu : 221 Anahtar Kelimeler : Linac, Proton Sinkrotronu, M-Bölgesi, uSR, u.CF Sayfa Adedi : 130 Tez Yöneticisi : Yrd.Doç.Dr. Metin YILMAZ
Pb1-xSnxTe/BaF2 yarıiletkenin elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Pbı_xSnxTe YARIİLETKENİNİN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİK ÖfCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Ali İhsan KILIÇ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ OCAK 2005 ÖZET Bu çalışmada BaF2 üzerine büyütülen p-tipli PbSnTe ve n-tipli PbSnTe yaniletkenlerinin elektron ileum özelikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail mobilitesi, ve taşıyıcı yoğunlukları p-tipli malzeme PbSnTe için 44-302 K Ye n- tipli PbSnTe için 19-344 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Özdirenç Gruneissen- block denklemi, lineer model ve Güç modeli kullanılarak analiz edildi. Hail mobilitesi ve Taşıyıcı yoğunluklarının deneysel sonuçları tartışıldı. Bilim kodu Anahtar kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi 404.03.01 PbSnTe, elektron iletimi, Hail mobilitesi 47 Prof.Dr. Süleyman Özçelik
III-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri
x+y » 47%)'a uygun-örgü In1-x-yGaxAlyAs dörtlüBu çalışmada, InP (ilealaşımlardaki boyuna optiksel fononların Raman saçılması incelendi. Dörtlüalaşım numuneler moleküler demet büyültme (MBE) ile (001) InP alttaşlarüzerine tabakalar halinde büyütüldü. Raman fonon spektrumu, InAs-, GaAs-and AlAs-benzer boyuna optik fonon modlarını sağlayan bir üç-mod davranışıgösterdi. GaAs ve AlAs-benzer modların frekansları, Ga (veya Al) yoğunluklarıile lineer olarak değişirken InAs-benzer fononun konumu neredeyse sabitkalmaktadır. Modların şiddet oranlarının, bileşimlerine karşılık gelen oranlaorantılı olduğu görüldü. Düzensiz-etkiler sebebiyle oluşan LO fonon modlarınınRaman çizgi şekillerin asimetrik genişliği ?konumsal koralasyon? yaklaşımı ileen iyi şekilde açıklanabildi.Bilim Kodu : 4040501Anahtar Kelimeler : Dörtlü bileşikler, fonon modları, Raman spektrumu,RCI modelSayfa Adedi : 51Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanoyapısının büyütülmesi ve I-V özelliklerinin incelenmesi
iiiAl0.2Ga0.8As/GaAs (100) NANOYAPISININ BÜYÜTÜLMESİ VE I-VÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Hilal GÜMÜŞGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜEylül 2005ÖZETBu çalışmada SEMİCON VG80H Moleküler Demet Epitaxy (MBE) cihazıkullanılarak Al0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısı büyütüldü. BüyütülenAl0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısının yapısal analizi yüksekçözünürlüklü X-ışını kırınımı yöntemi (HRXRD) ile yapıldı. Rocking vereflectivity ölçümleri D8 discover X-ray cihazı kullanılarak yapıldı. X-ışınıcihazında ölçülen rocking eğrileri hem kinematik hem de dinamik metotlarıkullanan LEPTOS programı ile simule edildi. Elde edilen Rocking eğrilerindekiuydu piklerinin varlığı büyütülen epitabakaların yeterli incelikte vehomojenlikte olduğunu kanıtlamaktadır. Büyütülen Al0.2Ga0.8As/GaAssüperörgü yapısının elektriksel karakteristiklerinin incelenebilmesi içinAu/GaAs kontak yapıldı. Au/Al0.2Ga0.8As/GaAs yapısının akım-voltaj-sıcaklık(I-V-T) karakteristikleri geniş bir sıcaklık aralığında (80 K- 400 K) incelendi.Bilim Kodu : 404.05.01Anahtar Kelimeler : MBE, AlxGa1-xAs/GaAs, elektriksel karakterizasyon,yapısal karakterizasyon, I-VSayfa Adedi : 100Tez Yöneticisi : Prof. Dr.Süleyman ÖZÇELİK
Lineer hızlandırıcılarda elde edilen X ışınlarıyla kanser tedavisi
Bu çalışmada Dr. Abdurahman Yurtarslan Ankara Onkoloji Eğitim veAraştırma Hastanesi'nde bulunan GE, Saturne 41 Lineer Hızlandırıcı tedavicihazının 6 MV ve 15 MV enerjili fotonları kullanılarak %dd, doz profilleri veTPR ölçümleri yapıldı. Ölçümler doz telafi kamalı alanda ve açık alanda su vekatı fantomlar kullanılarak yapıldı. %dd doz değerleri ve doz profilleri sufantomunda, rmax derinliklerindeki doz verimi ölçümleri ise katı fantomdayapıldı. 6 MV enerjili fotonların %dd değerleri, British Journal Of RadiologySupplement No:11 ile, 15 MV enerjili fotonların %dd değerleri de SupplementNo:25 ile karşılaştırıldı. Kalite kontroller, kalibrasyonu yapılmış cihazlarlayapıldı. 6 ve 15 MV enerjili foton demetlerinin, simetri-düzgünlük, % dd, açıyabağlı doz verimi, profil ve gerekli diğer parametrelerine bakıldı. Tedavisırasında kullanılan ve foton sayısını azaltan araç-gereçlerin geçirgenlikfaktörleri ölçüldü. Bilgisayarlı tedavi planlama sistemi için gerekli veriler alındı,sisteme aktarıldı. Teorik ve bilgisayarlı planlama sistemiyle hesaplanan referansşartlardaki doz değerleri, dozimetre ile ölçülen doz değeriyle karşılaştırıldı.Medikal fizikle ilgili kalite güvence sağlandı.Bilim Kodu : 202Anahtar Kelimeler : 6 MV, 15 MV, X ışını, %dd, SSDSayfa Adedi : 152Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Güneş TANIR
Radyoterapide kullanılan aynı marka iki lineer hızlandırıcı cihazının foton ve elektron enerjilerinin dozimetresinin karşılaştırılması
Bu çalışmada, General Elektrik Marka Saturne-41 ve Saturne-43 LineerHızlandırıcı cihazlarının, 15 MV foton ve 9 MeV elektron enerjileri içinsimetrik alanlarda %DD, doz profilleri, output ölçümleri yapılarak Target 2planlama sistemine aktarıldı ve izodoz eğrileri çıkarıldı. %DD, doz profilleri sufantomunda, referans ve dmax derinliklerindeki doz verimi ölçümü katıfantomda yapıldı. Bütün bu ölçümler simetrik alanda yapılarak karşılaştırıldı.Sonuç olarak radyoterapide doğru bir tedavi için , her bir lineer hızlandırıcıcihazının aynı marka ve model olsalar bile bütün dozimetrik parametrelerinin(out-put , %DD, SSD, profil v.b.) detaylı bir şekilde ölçülmesinin gerekliolduğu görüldü.Bilim Kodu : 202Anahtar Kelimeler : Elektron,Foton, SSDSayfa Adedi : 106Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Başar ŞARER
LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri
LEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Te KATKILI n-T P InSbÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)Ümit YURDUGÜLGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜAralık 2005ÖZETLEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı InSb numunesinde, manyetik alanbağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14-350K sıcaklık aralığında ve 0-1.35Tmanyetik alan aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçları geleneksel ve `nicel mobilitespektrum analiz' (QMSA) teknikleri kullanılarak analiz edildi. Analizsonuçlarından; LEC kristal büyütme tekniğinden ve Te katkısındankaynaklanan safsızlık seviyelerinin, manyeto ve elektron iletim özelliklerineşiddetli bir etkisi olduğu bulundu. Sıcaklık bağımlı manyetoözdirenç katsayısıdüşen sıcaklıkla iki minimum sergileyerek bir artış göstermektedir. Buminimumların iki tip safsızlıkla ilgili olduğu bulundu.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : InSb, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi, ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 77Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP
(Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri
iii(Al-Ti10W90+PtSi)/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞABAĞLI TEMEL PARAMETRELERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif MARILGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2005ÖZETBu çalışmada, [111] doğrultusunda büyütülmüş ve özdirenci 0.7 â¦.cm olan n-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınakım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 79-360 K sıcaklıkaralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğindendolayı bir Gaussian dağılıma sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerindensıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (ΦBO) artış ve idealite faktöründe (n)ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcsklığın tersi ile değişimigrafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapmadeğerleri sırasıyla Φ bo=0.815 eV ve Ïs=0.09 V olarak elde edildi. Böylece,modife edilen Ln(I0/T 2) - q2 Ï o /2k2T 22nin (q/kT) eğrisinde ortalama engelyüksekliği ve Richardson sabitinin değeri sırasıyla 0.82 eV ve 104.85 Acm-2K-2olarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınsıcaklığa bağlı I-V karakteristislerinden Φb'nin Gaussian dağılıma sahip olmasıTE mekanizmasıyla açıklandı.Bilim Kodu : 404. 05. 01Anahtar Kelimeler : Amorf metal film, I-V ölçümleri, Engel homojensizliği,TünellemeSayfa Adedi : 55Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL
Yüksek enerjili protonlar ile bombardıman edilen büyük Z'li hedeflerde nötron çığının incelenmesi
Bu çalışmada, Hızlandırıcı Güdümlü Sistemin tasarımı (simülasyonu)MCNPX bilgisayar programı kullanılarak yapılmıştır. Çalışmada 92 cmyarıçaplı, 250 cm yüksekliğinde silindir bir kap kullanılmıştır. Bu kappaslanmaz çelikten yapılmıştır ve et kalınlığı 2 cm'dir. Çalışmada dörtfarklı HGS tasarımı incelenmiştir: Kurşun silindir, kurşun küre, tantalsilindir, tantal küre hedef. Silindir hedefler 15 cm yarıçaplı ve 150 cmyüksekliğindedir. Küre hedeflerin yarıçapı 29 cm'dir. Hedeflerinetrafında sodyum soğutucu bulunmaktadır. Hesaplamalarda nötronüretimi için, hedefe hızlandırıcıdan gelen 1 GeV enerjili ve 10 mAakıma sahip proton demetleri gönderilmiştir. Hesaplamalarda MCNPXbilgisayar programı kullanılarak hızlandırıcıdan gelen proton başınaüretilen nötron sayısı, hedefteki ve hedefle kap arasındaki bölgedeproton ve nötron akıları, heating ve DPA hesaplanmıştır.Bilim Kodu : 218Anahtar Kelimeler : Hızlandırıcı Güdümlü Sistem, spallation,MCNPXSayfa Adedi : 84Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Başar ŞARER
Karbondioksit (CO2) lazerle fiber oksit yüzeylerinin parlatılması ve verim hesapları
Bu çalışmada, fiber optik kabloların kesit alan yüzeyleri mekanik ve lazerliparlatma yöntemleri uygulanarak düzgünleştirilmiş ve veri aktarımındakiverimin değişimi (kayıptaki azalma) incelenmiştir. Fiber makası ile kesimiyapılan, mikron mertebesinde zımparalarla mekanik olarak düzgünleştirilenfiber optik kablo yüzeylerindeki kayıpların karbondioksit lazerle yapılanparlatmayla azaldığı gözlenmiştir. Farklı üretici firmaların fiber optik kablolarıkullanılarak yüzeylerdeki kayıplar desibel (dB) olarak ölçülmüştür. Lazerleparlatmada uygulama süresinin verime etkisi incelenmiş, minimum kayıp 6saniyelik lazer ışın demetiyle parlatılan yüzey parlatmasında elde edilmiştir.Bilim Kodu : 404.05.01Anahtar Kelimeler : Fiber optik, Lazer, CO2 Lazerler, Yüzey parlatmaSayfa Adedi : 54Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. Metin ÖZER
Toryumla uranyumun nötron yayınlanma spektrumlarının hesaplanması
Bu çalışmada dünyanın ve Türkiye'nin sahip olduğu Uranyum ve Toryumrezervleri incelendi. Nükleer reaktörler sınıflandırıldı ve hibrid (melez)reaktörün çalışma prensipleri verildi. Ayrıca, nükleer reaksiyon modelleri232Th ve 238U çekirdekleri için 4-18 MeV gelme enerjilerindesınıflandırıldı ve(n,xn) reaksiyon tesir kesitlerine ait nötron yayınlanma spektrumlarıhesaplandı. Hesaplamalarda geometri bağımlı hibrid model, exciton model vecascade exciton model kullanıldı. Denge öncesi direk etkileri incelemek içinexciton model kullanıldı. Deneysel tesir kesitleri literatürden ve UluslararasıAtom Enerjisi Kurumu'nun ENDF/B, CENDL, JEF kütüphanelerinden eldeedildi. Deneysel veriler ve teorik hesaplamalar karşılaştırıldı. Sonuçlarındeneysel verilerle uyumlu olduğu görüldü.Bilim Kodu : 404.03.01Anahtar Kelimeler : Toryum, uranyum, nükleer reaktörler, denge öncesinükleer reaksiyonlar, exciton model, hibrid model.Sayfa Adedi : 53Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. Eyyup TEL
Doğal yalıtkan tabakalı Al/p-Si Schottky diyotlarda elektriksel karakteristiklerin frekansa bağlı incelenmesi
Doğal yalıtkan arayüzey tabakaya (SiO2) sahip Al/p-Si Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında incelendi. Arayüzey durum yoğunluğunun (Nss) dağılım profili doğru beslem I-V ölçümlerinden enerjinin (Ess- Ev) bir fonksiyonu olarak, engel yüksekliğinin (e) gerilime bağlı olduğu dikkate alınarak elde edildi. Ayrıca kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri geniş bir frekans aralığında (10 kHz - 1 MHz) çalışıldı. İlave (excess) kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. İlave kapasitansın bu davranışı, artan frekansla arayüzey durum yoğunluklarının azalmasına atfedildi. Deneysel sonuçlar Schottky diyotların I-V, C-V ve G-V karakteristiklerinin sadece Nss'den değil aynı zamanda seri direnç Rs'den de etkilendiğini ve Schottky diyotların elektriksel özellikleri üzerinde Nss ve Rs'nin önemli bir yere sahip olduğunu gösterdi.
Enhancement of superconducting properties of nano-size yittrium based superconductors
In this work, the role of oxygen and 〖Mn〗_2 O_3 impurity roles on the basic characteristic features of YBa2Cu3O7-y superconductors was investigated. While preparing the samples, it was prepared by solid state reaction method by adding Mn with varying additive ratio instead of copper. The samples were annealed for 24 hours at 945 °C and at room temperature such that the temperature increased by 3 °C /min at 945 °C and decreased by 1 °C /min. The characteristics of the samples were made by taking X-ray diffraction patterns, scanning electron microscopy (SEM), DC electrical Resistivity Tests measurements. As a result of XRD and SEM measurements, when oxygenated samples are compared with oxygen-free sample, the presence of oxygen improves the appearance of surface morphology and crystallinity quality for YBa2Cu3O7-y superconductors. At the same time, it was found that the increase in manganese impurity of Mn-doped YBa2Cu3O7-y superconductors prepared under oxygen annealing ambient conditions significantly changed grain alignment distributions and orientations, grain boundary regions, interaction quality between grains and basic structural morphology appearances. itis also seen that the transition temperature and critical current density increase when Mn doping is compared with Mn undoping and also the oxygen ambient condition has ben noted to affect positively the values of Jc parameter. According to these results, it was seen that Oxygen and Mn doped had a positive effect on YBCO.
Influence of induction heating on the physical properties of iron sheathed MgB_2
In this study, influence of induction heating applied to iron sheathed MgB2 wires produced by the powder-in-tube (PIT) technique in an argon flow athmosphere on the physical and superconducting properties of the wires was investigated. Laboratory made induction heater system was calibrated via Fluke Ti300+ thermal camera. When the superconductivity properties of MgB2/Fe wires, which were heat treathed at 900 for 2 minutes with induction heater, were examined, it was observed that the wires had a critical transition temperature of 36.8 K under 0 T magnetic field. It has been concluded that induction heating is an advantageous method in terms of both time and energy efficient when compared to the heat treatments made by the convencional tube furnace.
Effects of wire diameter, tape thickness, and rolling ratio on the superconducting properties of monocore Fe/MgB2 conductors
In this work, we studied the superconducting properties of MgB2 monocore iron sheathed wires of different diameters and tapes of different thicknesses produced using the in-situ powder-in-tube (PIT) method. We manufactured wires and tapes using the in-situ PIT method by filling the iron tube with previously prepared unreacted Mg and 2B powder. Thus, the 15 mm diameter tube underwent a groove rolling process to reduce its diameter to 3 mm to produce wires. In addition, the wires were subjected to cold drawing and were cut with diameters of 2.5 mm, 2.0 mm, 1.7 mm, and 1.3 mm. Therefore, these wires with different diameters were subjected to a flat rolling process to produce tapes, and parts of the tape sample were cut with different thicknesses of 1.2 mm, 0.9 mm, 0.6 mm, and 0.4 mm. During these processes, the wires and tapes were subjected to intermediate heat treatments at a temperature lower than the synthesis temperature of MgB2 to reduce the mechanical stress due to these processes. After these steps, heat treatment was carried out at 700°C for 2 hours using a tube furnace. We have examined the effects of electrical / superconductivity for all samples. Temperature-resistance and current-voltage measurements were made using a cryostat system at magnetic fields of up to 7 Tesla by cutting samples with a length of 25 mm from the middle part of our samples. The results indicate that the tape sample that is 1.2mm thick is flat rolled from wire with diameters of 2.0mm and possesses the most suitable properties for superconducting than the tape samples due to its higher Tc at 37.76K. The most important result is that the wire sample with a diameter of 1.7mm shows the highest Tc among the wire and tape samples at 37.87K. On the other hand, Tapes of smaller thickness show faster degradation of Je, which makes them less suitable for applications involving strong magnetic fields.
Using machine learning method to search the anomalous quartic gauge couplings via tri-photon production at future hadron colliders
Examining the self-couplings of gauge bosons, as dictated by the non-Abelian gauge symmetry in the Standard Model (SM), provides invaluable insights into the SM's gauge structure. Any departure from SM's predictions regarding gauge boson self-coupling could hint at the presence of new physics beyond the SM. This involves adjusting self-interactions through an effective field theory approach. This study aims to investigate anomalous quartic gauge dimension-8 couplings related to γγγγ and γγγZ vertices via tri-photon production in future hadron colliders, namely the HL-LHC (√s=14 TeV) and the FCC-hh (√s=100 TeV) with integrated luminosities of 3 ab^(-1) and 30 ab^(-1). Generated events, considering parton showering and detector effects, are analyzed using Monte Carlo methods and also using machine learning methods which are called TMVA with Boosted Decision Trees. Limits of anomalous quartic gauge couplings f_T8/Λ^4 and f_T9/Λ^4, obtained at a 95% confidence level, with and without systematic errors for both future hadron colliders. Results for the FCC-hh collider indicate that constraints on anomalous quartic gauge couplings are about three orders of magnitude stronger than the best experimental limits by the ATLAS collaboration at the LHC. Factoring in a realistic 10% systematic uncertainty, the limits degrade by about one order of magnitude but still surpass those reported by ATLAS by two orders of magnitude.
Plazma fiziğinin Maxwell tipi denklemlerinin sedenionlarla yeniden formülasyonu
Bu tezde, elektrodinamik ve akışkanlar dinamiğinin temel denklemleri arasındaki birçok teorik benzerlikten yararlanılarak, çok akışkanlı plazmanın Maxwell tipi denklemleri sedenionlar cinsinden ifade edilmiştir. Bu model, bu türdeki plazmanın Lamb ve vortisite (girdaplanma) vektörlerini sedenionlarla genelleştirilmesine olanak sağlamaktadır. Bu yüzden çok akışkanlı plazmanın temel denklemleri, daha önce bu hiperkompleks sayı sistemi kullanılarak elde edilen elektromanyetik ve gravitasyonel alanlardaki karşılıklarıyla benzer bir formda türetilmiştir.
Nb katkılı TiO2 ince filmlerin üretilmesi ve boya duyarlı güneş hücrelerine uygulanması
Bu tez çalışmasında yenilenebilir enerji kaynaklarından güneş enerjisinin doğrudan elektrik enerjisine dönüştürülmesinde kullanılan boya duyarlı güneş hücresi, yapısına engelleyici katman eklenerek elde edilmiştir. Engelleyici katman olarak katkısız ve Niyobyum (Nb) katkılı TiO2 ince filmler, FTO kaplı cam taban üzerine daldırarak kaplama yöntemi ile elde edilmiştir. Katkılama, %1, %3, %5 ve %7 hacim oranlarında yapılmıştır. Elde edilen engelleyici katmanların yapısal, optik ve yüzey özellikleri incelenmiştir. Mezogözenekli metal oksit olarak TiO2 film FTO taban üzerinde doktor blade yöntemi ile elde edilmiştir. Mezogözenekli TiO2 (m-TiO2) filmin yapısal, optik ve yüzey özellikleri incelenmiştir. FTO/m-TiO2 film yapısı hazırlanan N719 boya çözeltisine daldırılarak farklı sürelerde en yüksek soğurma gösteren çalışma yapı belirlenmiştir. Belirlenen boyaya daldırma süresi, FTO/Engelleyici katman/m-TiO2 yapısına uygulanmış ve fotoelektrotlar elde edilmiştir. Bu şekilde elde edilen fotoelektrotlarının optik özellikleri incelenmiştir. Karşıt elektrot olarak Pt film, doktor blade yöntemi ile FTO kaplı cam taban üzerinde elde edilmiş, yapısal ve optik özellikleri belirlenmiştir. Fotoelektrot ve karşıt elektrot kapalı hücre yöntemi ile birleştirilerek Nb katkılı boya duyarlı güneş hücresi elde edilmiştir. Boya duyarlı güneş hücresinin AM 1.5 aydınlatma altında I-V ölçümü incelenmiştir. I-V ölçümlerinde, kullanılan engelleyici katmana göre verim değerlerinin değiştiği belirlenmiştir. En yüksek verim %4,68 ile %3 Nb katkılı TiO2 engelleyici katman film kullanılan boya duyarlı güneş hücresinden elde edilmiştir. Yüksek verim, %3 Nb katkılı TiO2 filmin yüksek optik geçirgenliğe ve yüksek yüzey pürüzlülüğüne sahip olması ile ilişkilendirilmiştir.
GaAs tabanlı yarı iletken aygıtlar için düşük dirençli ohmik kontak yapılarının geliştirilmesi
Ohmik kontaklar GaAs tabanlı yarı iletken aygıtların performansını etkileyen önemli bir bileşendir. Düşük dirençli ohmik kontaklar, aygıttan alınan verimi arttırarak, aygıtın kullanım ömrünün uzamasını sağlar. Üretilen bu kontakların direnç değerlerinin uygun metodla ölçülüp, termal yaşlandırması yapılarak, kontağın termal dayanıklılığının belirlenmesi; uygulanan metalizasyon yapısının geliştirilmesini sağlar. Bu tez çalışmasında, epitaksiyel olarak büyütülmüş p-tipi katkılı GaAs örneklerine elektron demeti buharlaştırma yöntemi ile Ti/Pt/Au kaplanırken, n-tipi GaAs örneklerine AuGe/Ni/Au kaplaması yapıldı. Kontak yapılarının dirençleri TLM metoduyla ölçülerek, kontaklar yüksek sıcaklık fırınında termal yaşlandırmaya tabii tutuldu. P- ve n-tipi kontak için düşük spesifik kontak özdirenci değerleri 10-6 Ω.cm² mertebesinde elde edildi. Metalizasyon şemalarının test edilip geliştirilebilmesi için gerekli olan kontak yaşlandırması sonunda, p-tipi kontağın n-tipi kontaktan daha erken bozunduğu görüldü. Yapılan SEM ve EDS analizlerinde p-kontakta oksitlenmelerin oluştuğu, metallerin p-GaAs katmanına difüzyonla inerek yüksek dirençli fazlar oluşturduğu tespit edildi. N-kontakta ise metal-yarı iletken arayüzeyinde meydana gelen fazların akım iletimini olumsuz etkilediği sonucu çıkarıldı. 150 saat boyunca yapılan termal test ile belirlenen bozunma kriterine ulaşılmadığı için yaşlandırma adımlarına devam edilmesi gerekli görülmüştür.
Manyetik alan ve aharonov-bohm alanında topolojik kusura sahip GaAs kuantum noktasının doğrusal ve doğrusal olmayan optik özellikleri
Bu çalışmada öncelikle yarıiletkenler, düşük boyutlu yarıiletken sistemler, doğrusal olmayan optik, Aharonov-Bohm olayı ve topolojik kusurlar hakkında genel bilgi verilmiştir. Daha sonra parabolik ve ters kare kuşatma potansiyeli ile tanımlı ayrım kusuruna sahip GaAs kuantum nokta yapısının, doğrusal, doğrusal olmayan, toplam soğurma katsayısı ve kırılma indisi değişimleri üzerindeki potansiyel parametreleri, kusur parametresi, uygulanan manyetik alan ve Aharonov-Bohm akı alanının etkileri teorik olarak incelenmiştir. Sayısal hesaplamalar ayrım kusuruna sahip GaAs kuantum noktası için elde edilen enerji özdeğer ve özfonksiyonları kullanılarak doğrusal, doğrusal olmayan ve toplam soğurma katsayısı ve kırılma indisi değişim denklemleri ile yapılmıştır. Elde edilen sayısal sonuçlar foton enerjisinin bir fonksiyonu olarak sunulmuştur. Bu sayısal sonuçların, ilgili deneysel çalışmaların sonuçlarıyla karşılaştırılarak, opto-elektronik cihazların tasarlanmasına katkıda bulunması öngörülmektedir.
Çinko oksit gaz sensörünün üretimi ve karakterizasyonu
Yarıiletken gaz sensörleri iç ve dış mekanlarda hava kalitesi belirlenmesinden, yanıcı veya zehirli gazların tespitine kadar birçok alanda yaygın olarak kullanılmaktadırlar. Çinko oksit tabanlı gaz sensörleri, hızlı yanıt, düşük algılama limiti, yüksek seçicilik ve güvenilir performans nedeniyle metal oksit gaz sensörleri içerisinde öne çıkmaktadır. Enerji verimliliği ve üretim maliyetleri gözetildiğinde mikrofabrikasyon yöntemleri ile üretilen gaz sensörleri büyük artılar ortaya koymaktadır. Aktif malzemenin oksijen adzorbe etmesi sonucunda elektriksel direncinin değişimi prensibinden yola çıkılarak elde edilen bu sensörlerde, sensör malzemelerinin yapı ve boyutları yanı sıra sensör tasarımı ile minimum alana sığdırılabilecek aktif mikro yapılar sensör verimliliğini etkileyen ana faktörlerden birisidir. Bu çalışmada mikro fabrikasyon yöntemleri ile üretilen çinko oksit tabanlı yarıiletken gaz sensörlerinin, aynı mikrometre kare alan içerinde farkı elektrod mesafeleri ve tasarımları ile karbonmonoksit algılama performansları incelenmiştir. Aktif malzeme olarak kullanılan çinko oksit ince filmi DC saçtırma yöntemi ile pasivizasyon gerçekleştirilmiş silisyum alttaş üzerine kaplanarak SEM, EDS, Elipsometre ve XRD ile karakterize edilmiştir. Elektriksel bağlantı için krom üzerine altın elektrotlar dairesel, paralel ve karesel tasarımlar 600X600 mikrometre kare içeresinde tasarlanıp fotolitografi yöntemi ile şekillendirilmiştir. Karbonmonoksit atmosferi altında yapılan elektriksel ölçümlerde elektrot arası mesafe ve tasarımlara bağlı olarak algılama hızı ve doyum süresi değişimleri incelenmiştir. 2 mikronluk elektrodlar ve mesafesi ile aynı birim alana sahip sensörler içerisinde en düşük direnç ve en hızlı doyum süresi elde edilmiştir.
Band modelling of N-type superlattice detector systems with using empirical pseudopotential method
There are high performance infrared superlattice photodedector structures as nBn(J. B. Rodriguez, 2007) dedectors, M-structured (P. Y. Delaunay, 2009) dedectors, W structured (C. L. Canedy, 2007) dedectors, Complementary barrier infrared detectors (CBIRD) (David Z.-Y. Ting, 2009) , PbIbN (P: p-tipi materyal, N n-tipi materyal, b: bariyer, I: intrinsic [saf, katkısız yarıiletken]) -structured (N. Gautam, 2010) dedectors and N-structred (Ergun & Aydinli, 2012) dedectors taken place in the literature by my Supervisor as a new design. This structure based on a type-II superlattice pin diode is designed for investigating the e-hh wave function overlap functions under reverse bias (U. Kaya, 2013). The structure is called N-structure on the base of real space band profile of 𝐺𝑎𝑆𝑏/𝐴𝑙𝑆𝑏/𝐼𝑛𝐴𝑠 superlattice system. As long as band gap energies of the system has been calculated according to layer thickness correctly with First Principle Method which our team work before (U. Kaya, 2013); pseudo-potentials calculations with plane wave approach have to be done since Bloch functions of the system may not be calculated correctly with First Principle. Especially in 8-12atmospheric window monolayers are more, then, First Principle Calculations take a lot of time and also the absorption and scattering (electron - phonon) processes leads to calculations may not being correctly. For this reason, band calculations are necessary by using Empirical Pseudopotential Method (EPM). In this thesis 𝐼𝑛𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑆𝑏/𝐺𝑎𝑆𝑏 type-II superlattice based new detector structure working in the (8-12 µm) atmospheric windows will be designed. Local terms related bulk band structure, band gap and effective mass values will be done in the most accurate way in different temperatures by using EPM.
N yapılı InAs/AlSb/GaSb kızılötesi süperörgü dedektörlerin test piksel ve odak düzlem dizin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Bu tez çalışmasında, kısa ve orta dalgaboylarında algılama yapan N tasarımlı InAs/AlSb/GaSb süperörgü yapıların fotodedektör aygıt üretimleri ve karakterizasyonları gerçekleştirilmiştir. N tasarımlı süperörgü yapılarına, AlGaSb bariyer katmanı dahil edilerek pBin e-SWIR ve nBn tek ve çift renkli MWIR aralığında çalışan üç ayrı dedektör yapı tasarımı yapılmıştır. Çalışma kapsamında, test piksel ve odak düzlem dizin (FPA) dedektör fabrikasyon basamakları optimize edilmiş, tekrar edilebilir ve homojen aygıt üretim reçeteleri oluşturulmuştur. Test piksel dedektörü, pBin tasarımlı e-SWIR dalgaboyunda çalışan yapılardan üretilmiştir. Farklı boyutlardaki test piksellerinin sıcaklığa bağlı elektro-optik karakterizasyonları yapılmıştır. 125 K sıcaklığında ve ‒0,1V ön gerilim altında, karanlık akım yoğunluğu 3,9 × 10-6 A/cm2, %100 kesim dalgaboyu 3,2 μm, tepe noktası kuantum verimliliği %55 civarında ölçülmüştür. Literatürle karşılaştırıldığında, kısa dalgaboyunda geniş algılama aralığı ve oldukça iyi dedektör performans değerleri, N-yapılı süperörgü tasarımlarının potansiyelini net bir şekilde göstermiştir. Çalışmanın devamında, orta dalgaboyunda çalışan tek ve çift renkli dedektör yapılarından FPA'ler üretilmiştir ve soğutulan detektörlerden MWIR bantlarında termal görüntüler alınmıştır. Üretilen ve kızılötesi görüntüleme yapılan her bir dedektörün elektro-optik performans haritaları ve histogramları ayrıntılı olarak incelenmiş ve fabrikasyonun dedektör performansına etkisi değerlendirilmiştir. N yapılı MWIR/MWIR çift renkli dedektörden ilk termal görüntü uzun dalgaboyunda başarıyla alınmıştır.
Fotosensör uygulamaları için güneş ışığına duyarlı kalay oksit aktif tabakalı fototransistörlerin üretimi ve elektronik özelliklerinin araştırılması
Bu tez çalışmasında, dielektrik tabaka kalınlığının kalay oksit (SnO2) ince film transistörlerin (TFT) elektriksel performansları üzerindeki etkisi incelenmiştir. Dielektrik tabaka olarak, farklı kalınlıklarda SiO2 ve HfO2 kullanılmıştır. Transistörlerin aktif tabakası olarak kullanılan SnO2 sol-jel spin kaplama yöntemiyle büyütülmüştür. Tabakaların yüzey morfolojisini analiz etmek için atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılmıştır. Aktif tabakayı oluşturan kalay ve oksijen elementlerinin oksidasyon durumları, Sn3d ve O1s'in bağlanma enerjileri için X-ışını fotoelektron spektroskopisi (XPS) ile belirlenmiştir. Fabrikasyonu yapılan TFT'lerin mobilite (μ), eşik voltajı (VTh) ve açık kapalı akım oranı (Ion/off) gibi elektriksel performansını gösteren temel parametreleri karanlık ortamda gerçekleştirilen ölçümler sonucunda hesaplanmıştır. Kullanılan dielektrik tabakaların kalınlığı cihazların elektriksel performansında önemli rol oynamıştır. En yüksek elektriksel performans, SiO2 dielektrik tabakalı TFT'ler içerisinde 7,10 cm2/Vs mobilite değeri ile 150 nm kalınlığa sahip SiO2 dielektrik tabakalı TFT'de elde edilmiştir. HfO2 dielektrik tabakalı TFT'lerde ise 26,71 cm2/Vs mobilite değeri ile 29 nm kalınlığa sahip HfO2 dielektrik tabakalı TFT en iyi elektriksel özelliği göstermiştir. Kalınlığa ek olarak dielektrik tabakanın yüzey özellikleri de mobilite değeri üzerinde etkin rol oynamıştır. TFT'lerin farklı aydınlatma şiddetlerinde fotoduyarlılık (Pps), fototepki (Rpr) ve spesifik dedektivite (D*) değerleri hesaplanmış ve tüm TFT'ler fototransistör davranışı sergilemiştir. Elde edilen sonuçlar, SnO2 TFT'lerin fotosensör uygulamalarında etkin bir şekilde kullanılabileceğini göstermektedir.
GaInNAs/GaAs yapılarında tavlama süresinin elektron sıcaklığına etkisi
Bu çalışmada, radyo frekanslı plazma kaynağı ile donatılmış katı kaynaklı Moleculer beam epitaxy (MBE) tekniği ile büyütülmüş, farklı sürelerde tavlanmış Ga0,68In0,32N0,017As0,983/GaAs kuantum kuyusu (QW) yapılarında magnetotransport ölçümleri yapıldı. GaInNAs/GaAs yapılarında tavlama süresinin elektron sıcaklığı, güç kaybı ve enerji durulma zamanları üzerindeki etkisi sıcaklığın ve elektrik alanın fonksiyonu olarak ölçülen Shubnikov-de Haas (SdH) osilasyonlarının bağıl genliklerinin karşılaştırılması yöntemiyle incelendi. Deneyler karanlık ortamda 1,8-40 K sıcaklık aralığında ve 11 T'ya kadar manyetik alan altında, 0,165-5,276 kV/m elektrik alan uygulanarak gerçekleştirildi. Düşük sıcaklık bölgesinde elde edilen deneysel güç kaybı verileriyle teorik güç kaybı modelleri karşılaştırılarak sıcak elektronların soğuma mekanizmaları incelendi. Sıcak elektronların kristal örgüyle perdelenmemiş piezoelektrik ve deformasyon potansiyeli etkileşmesi sonucunda soğudukları gözlemlendi. Ayrıca teorik güç kaybı hesaplamalarında bir uyum parametresi olarak seçilen piezoelektrik gerginlik sabiti (e14) hesaplandı.
Sıcak elektron tabanlı optik sensörler
Bu çalışmada, sıcak elektron ışın yayıcı ve lazer yarıiletken heteroeklem (Hot Electron Light Emission and Lasing in Semiconductor Heterostructure, HELLISH) bir aygıt olarak tasarlanan farklı kuantum kuyu genişliğine sahip olan GaAs/Al0.31Ga0.69As yapısının XOR, NOT, OR ve NAND optik mantık kapıları olarak çalışabilme özellikleri araştırıldı. GaAs/AlGaAs heteroeklem yapısı, p-tipi ve n-tipi Al0.31Ga0.69As tabakalarının arasında n-tipi Al0.31Ga0.69As tabaka içine GaAs kuantum kuyusunun yerleştirilmesi şeklinde tasarlandı. GaAs/ Al0.31Ga0.69As tabakaları yarı-yalıtkan GaAs alttaş üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (Molecular Beam Epitaxy, MBE) sistemi kullanılarak büyütüldü. p-n ekleminde doğrusal olmayan bir potansiyel dağılımı elde edebilmek için büyütülen aygıtların Top Hat HELLISH (THH) geometrisinde fabrikasyonu yapıldı. Sıcaklığa bağlı fotolüminesans, farklı gerilim değerleri altında dalga boyuna bağlı elektrolüminesans ve akım-voltaj ölçümleri gerçekleştirilerek THH aygıtların ışıma aygıt parametreleri elde edildi. Elektriksel kontak bağlantısı yapılan THH aygıtlara atmalı gerilimler uygulanarak XOR, NOT, OR ve NAND mantık kapılarının çalışma prensibine göre aygıttan ışıma elde edildi. Girişi ışın çıkışı ışın olan optik mantık kapılarının elde edilmesi araştırıldı. Fiber optik kablodan gelen ışının var ("1") ve yok ("0") olması durumunda, XOR, NOT OR ve NAND mantık kapısı çalışma prensibine göre THH aygıttan ışıma elde edildi. Bu THH yapıların girişi ışın çıkışı ışın olan optik mantık kapısı olarak kullanılabileceği gösterildi.
Investigation of chemical pressure effect on magneto-electrical properties in La1.4Ca1.6Mn2O7 manganites
In this study, a detailed study was done about the doped-layered perovskite structure under the influence of chemical pressure as the formation of (La1- yREy)1.4Ca1.6Mn2O7. The effect of chemical pressure was examined by altering the A-site radius, 〈𝑟𝐴 〉 , by doping with the Rare Earths (RE) (Gd, Sm, Nd, Pr) in different proportions (y) and three series of compounds were prepared, with three different 〈𝑟𝐴 〉, 1.3213, 1.3353, 1.3423 Å, by solid-state reaction method. The micro-structural characterization was studied by using X-ray powder diffraction (XRD), Rietveld structural refinements, scanning electron microscopy and X-ray analysis (EDX). The electrical transport properties were determined in the temperature range of 5-300 K under a 0.4 T magnetic field. The metal-insulator (M-I) transition temperature (TM-I) and magnetoresistance (MR) values were determined. The A.C susceptibility measurements were performed to obtain the ferromagnetic (FM)-antiferromagnetic (AFM) phase transition temperature (Tc). All samples were crystallized in the I4/mmm space group in the tetragonal structure and a nonlinear increase in unit cell volume with increasing 〈𝑟𝐴 〉. The particle size distribution is almost homogenous and the EDX spectrum confirmed that all elements present in all samples without any loss of integrated elements. All samples execute the typical M-I and FM-AFM phase transition and with increasing 〈𝑟𝐴 〉, TMI and Tc shift towards higher values. The largest MR (55.09 % at 73K) was observed on the LPCMO material within the group with the smallest 〈𝑟𝐴 〉. The results indicated that the chemical pressure could affect electromagnetic transfer properties by altering the strength of the carrier localization effect. KEYWORDS: Double layered manganites, Chemical Pressure, Electro-magnetic transport, Magnetoresistance
Full characterization of Sr site Nd substituted Bulk Bi-2223 superconducting samples with standard experimental methods and theoretical approaches
The aim of this thesis is to examine the very significant properties including the electrical, structural, mechanical, flux pinning mechanism and superconducting in the Bi-2223 system with the partial replacement of neodymium foreign particles by strontium impurity. Superconducting materials prepared by standard solid-state route at the sintering temperature of 840 ℃ for 48 h are carried out by experimental measurement methods such as X-Ray diffraction analysis, scanning electron microscopy, electron dispersive X-Ray, Vickers microhardness, resistivity and magnetization measurements. For the industrial and technological applications, the significant properties such as the normal state resistivity, critical transition temperature, crystallinity, phase purity, lattice parameter, texturing, surface morphology and Vickers microhardness are obtained for all samples and compared with each other. The pure sample displays the high-Tc Bi-2223 superconducting phase the 97.55 % volume fraction level. Further, the volume fraction value of high-Tc Bi-2223 phase decrease from 94.43 % in level x=0.01 sample to 26.65 % for the level of x = 0.1. Lattice constant a increases while lattice constant c decrease with increasing in Nd additives. While the maximum offset critical temperature of the pure sample is 108.4 K, a minimum of 78.81 K is obtained for the level of x = 0.1. All the theoretical approaches and experimental results display the characteristic properties tend to deteriorate with the increase in the Nd impurity.
Fabrication and characterization of the stacked nuclear radiation sensing field effect transistors (NürFETs) with high-K
NürFETs are integrated ionizing radiation sensors that operate on the principle of converting radiation-induced threshold voltages into absorbed doses, which are commonly used to measure absorbed doses in spacecraft, military, high energy physics laboratories, and radiotherapy. However, one of the major drawbacks of the conventional NürFETs is the inability to sense and detect very low radiation doses at the mGy range, which are needed for personal dosimeter and low radiation environments. In this study, the NürFETs with a stacked structure, a design method, where NürFETs are coupled in a stacked structure (stacked-NürFETs) were fabricated. The stacked-NürFETs structure approach was designed to improve the sensitivity of single NürFETs and the performance of the stacked-NürFETs as radiation sensors were investigated and discussed. The pre-irradiation electrical characteristics of the device were evaluated, and the initial threshold voltages (Vth) have shifted to larger negative voltage values, which are proportional to the number of the NürFETs increased in the stacked-NürFETs structure. The post-irradiation electrical characteristics of the device were obtained, and their responses to irradiation and possible usages in radiation dosimetry have been investigated and discussed. The results demonstrate that the sensitivities of the stacked-NürFETs are directly proportional to the number of sensors used in the stacked-NürFETs structure.
QCD sum rules for the mass, residue and self-enegryof nucleon in cold nuclear matter
In this thesis, the mass, residue and self-energies of the nucleon in cold nuclear medium are calculated in the framework of the QCD sum rules method by using the interpolating current of the nucleon, including the Ioffe value of the mixing parameter . Firstly, the reliable regions of the auxiliary parameters required for the calculations are determined in accordance with the philosophy of this method. Then, we present these physical quantities showing stability with respect to these auxiliary parameters in their obtained working regions. In the limit of ρ→0, we obtain our vacuum results. It is then calculated that the mass and residue of the nucleon showed negative shifts due to the cold nuclear matter. These shifts are obtained using the mean values of the auxiliary parameters and at the saturation nuclear matter density. The negative shifts on the mass is %31 and on the residue is %11. In addition, in the density interval ρ = [0 - 1:5]ρsat, the modified mass and residue of nucleon show almost linear decrease due to the increasing medium density. Another important result is obtained that our results for the vector and scalar self-energies of nucleon being a good agreement with the literature. It is important to investigate the physical properties of the hadrons in the cold and dense nuclear medium, as opposed to vacuum, to evaluate the results of heavy ion collision experiments, and to better understand the internal structures of dense objects such as neutron stars. Our results may shed light on the planned medium experiments in the near future and may also be helpful in theoretical and phenomenological studies related to the behavior of other hadrons in the dense medium.